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石英晶玻璃介電常數介質損耗測試儀Q值測量范圍：1～1023Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；電感測量范圍：1nH～8.4H 自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能電容直接測量范圍：1pF～2.5uF主電容調節范圍：30～540pF準確度 150pF以下±1pF；150pF以上±1%信號源頻率覆蓋范圍10kHz～70MHz合格指示預置功能范圍：5～1000環境溫度：0℃～+40℃；消耗功率：約25W；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。（數顯）介電常數εr和介質損耗因數tanδ測試裝置：數顯式微桿

平板電容器：極片尺寸： 38mm極片間距可調范圍：≥15m夾具插頭間距：25mm±0.01mm夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）測微桿分辨率：0.001mm測試極片：材料測量直徑Φ38mm厚度可調 ≥ 15mm液體杯：測量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內徑Φ48mm 、深7mm

電感組LKI-1：分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個電感組成。主機尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280

石英晶玻璃介電常數介質損耗測試儀電容，C，名詞——當導體之間存在電勢差時，導體和電介質系統允許儲存電分離電荷的性能。

　　討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：

　　C=q/V （1）

　　耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

　　D=K''/K' (2)

　　3.2.2.1 討論——a：

　　D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

　　式中：

　　G=等效交流電導，

　　Xp=并聯電抗，

　　Rp=等效交流并聯電阻，

　　Cp=并聯電容，

　　ω=2πf（假設為正弦波形狀）

　　耗散因子的倒數為品質因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯和并聯模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：串聯模型——對于某種具有電介質損耗（圖3）的絕緣材料，其并聯模型通常是適當的模型，其總是能和偶爾要求模擬在單頻率下電容Cs與電阻Rs串聯（圖4和圖2）的某個電容器。

　　D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

　　串聯和并聯部分之間的關系滿足以下要求：

　　Cp=Cs/(1 D2) (5)

　　Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)