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產品簡介
kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化，實時測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上，實現了晶片的溫度實時檢測。
詳細介紹
kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化，實時測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上，實現了晶片的溫度實時檢測。
kSA BandiT多晶片溫度監控軟件結合了自動伺服馬達控制的掃描檢測功能,從而實現了MBE外延薄膜生長過程中多襯底溫度實時Mapping檢測。
該系統在外延薄膜生長過程提供襯底/晶片實時的二維溫度信息的系統。對Wafer（及薄膜）表面溫度實時、非接觸、非入侵的直接檢測；采用溫度和半導體材料對光的吸收邊（譜帶能量）相關性原理，即材料的本征特性，使得測量結果更為準確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發系統等和熱處理、退火設備上，進行實時溫度檢測。
kSA BandiT實時襯底溫度測試儀
技術參數：
溫度范圍：室溫~1300攝氏度；
溫度重復性：0.2攝氏度；
溫度分辨率：0.1攝氏度；
穩定性：+/-0.2攝氏度；
主要特點：
*實時、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監測；
*多基片/晶片表面2D溫度Mapping監測；
*真實的Wafer表面或薄膜溫度監測；
*整合了新的黑體輻射監測技術；
*沉積速率和薄膜厚度分析；
*表面粗糙度分析功能；
*測量波長范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等）
*避免了發射率變化對測量的影響；
*無需沉積設備Viewport特殊涂層；