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實現高線性性能的挑戰2018/09/09

線性性能可能是一個令人難以捉摸的目標。對線性的定義在某種程度上具有相對性，而且許多工作特性都會影響到有源或無源器件的線性質量。在半導體層面，即使是工藝也可以通過調整來改善線性性能。近年來，提高高頻元件線性的重要性越來越高，因為諸如正交幅度調制(QAM)等數字調制格式使用越來越廣泛，而這些調制技術都依賴于幅度、頻率、相位或三者的組合(經調制置于載波信號包絡上)來表示數字信息。理解線性的定義是辨別哪種元器件可以被認為具有真正線性的步。正如其名字的含義那樣，對線性的簡單認識與一個元件產生的輸出信號能夠

主要功能陶瓷器件現狀2018/09/09

MLCC(多層陶瓷電容器)是各種電子、通訊、信息、軍事及航天等消費或工業用電子產品的重要組件。MLCC由于其小體積、結構緊湊、可靠性高及適于SMT技術等優點而發展迅速。目前，電容器市場無論從數量上還是市場潛力上來看都以陶瓷電容器份額大。MLCC產量隨著IT產業的發展而不斷增長，國內產量占產量的比例近年來也有較大的增長，我國已經逐漸成為世界MLCC的制造大國。目前MLCC的上的發展趨勢是微型化、高比容、低成本、高頻化、集成復合化、高可靠性的產品及工藝技術。當前MLCC需求的熱點主要集中在手機、P4

一種基于電容分壓的電子式電壓2018/09/09

摘要：提出一種新型的電子式電壓互感器，它結合了光纖和式電壓互感器的優點，一定程度上解決了高壓傳輸系統中的絕緣和抗電磁干擾等傳統難題。關鍵詞：雙CPU；光纖；電子式電壓互感器1引言電壓互感器是電力系統中一次與二次電氣回路之間*的連接設備，其作用是實現一次、二次系統的電氣隔離，把一次側的高電壓變換成適合于繼電保護裝置和電氣測量儀表等工作的低電壓。隨著電力系統超高壓輸變電的發展，傳統的電磁式電壓互感器（PotentialTransformer，簡稱PT）的體積變得越來越大，造價高，存在鐵磁諧振等嚴重問

電感設計的原則2018/09/09

設計有許多限制條件，各自都對是否成功量產有直接影響，本文是磁性元件設計教程的重要的一章，主要介紹是什么在限制著電感，高頻變壓器等磁性元件的設計。原則一：電感不飽和（感值下降不超出合理范圍）由磁滯回線圖可以看出，H加大時，B值也同時增加，但H加大到一定程度后，B值的增加就變得越來越緩慢，直至B值不再變化(u值越來越小，直至為零)，這時磁性材料便飽和了。通常電路中使用的電感都不希望電感飽和（特殊應用除外，參看飽和電感及其在開關電源中的應用一文），其工作曲線應在飽和曲線以內，Hdc稱為直流磁場強度或直

家用電器電子元器件的檢測2018/09/09

元器件的檢測是家電維修的一項基本功，如何準確有效地檢測元器件的相關參數，判斷元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必須根據不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件的正常與否。特別對初學者來說，熟練掌握常用元器件的檢測方法和經驗很有必要，以下對常用電子元器件的檢測經驗和方法進行介紹供對考。電阻器的檢測方法與經驗1固定電阻器的檢測。A將兩表筆(不分正負)分別與電阻的兩端引腳相接即可測出實際電阻值。為了提高測量精度，應根據被測電阻標稱值的大小來選擇量程。由于歐姆擋刻度的非線性關系，它的中間

直流風扇的監控與保護2018/09/07

管變頻電機有很高的可靠性，但它仍然是機械器件，在長時間使用時，其速度可能會下降甚至停轉，所以對風扇的運行狀態進行實時監測，便于及時發現問題。目前，對風扇自身的監控方式有報警和速度傳感器兩種類型，利用報警傳感器可在風扇速度低于某個門限值時給出報警信號，而速度信號輸出則可實現風扇速度的實時監控。從風扇電路輸出的報警信號有“高電平”和“低電平”兩種狀態，兩種電平所代表的意義一般按照正邏輯體制，高電平表示“故障”，“低電平”表示“正常”。從風扇電路輸出的轉速信號通常為脈沖形式，每個波頭表示風扇轉過一圈，

PCB可制造性設計--促進生產力的強大工具2018/09/07

在今天的電子業，有幾種力量正在推動著可制造性設計(DFM)的進程，其中常見的三種為：·新技術帶來的零件密度的增加·縮短設計周期時間的需求·外包及海外制造模式的實行要求設計更小更輕，同時又要擁有更多功能的不斷增加的需求為我們帶來了新的印刷電路板制作技術，如順序迭構，嵌入式被動及主動零件類的設計，以及零件封裝技術的創新如Micro-BGA、CSP和POP。所有這一切都使PCB設計、制作及組裝變得更加復雜化。縮短“產品上市時間”是一項緊迫的需求。由于PCB設計的反復可能導致設計周期平均增加幾個星期，從

PCB設計的優化2018/09/07

為了滿足日益增加的PCB設計要求，不少設計工程師感到壓力頗重。每一類新的設計都伴隨著性能和可靠性方面的失效風險。設計過程中大的問題是如何在散熱方案和信號完整性中進行取舍。連接元件的高速時鐘速度需要緊密的靠近，以便確保不出現信號衰減。但是這類元件還是無法避免的有很多耗散熱，因此它們之間應盡可能的遠離，從而有助于降低它們的溫度。本文描述了如何應用熱對PCB板散熱性能進行優化設計。這一PCB板是通過楔形裝置緊鎖在機箱內，并且對機箱外部的散熱器翅片進行強迫風冷。在一些惡劣的環境條件下，根據局部環境空氣溫

雙向可控硅的設計及應用分析2018/09/07

1958年，從美國通用電氣公司研制成功個工業用可控硅開始，電能的變換和控制從旋轉的變流機組、靜止的離子變流器進入以電力半導體器件組成的變流器時代。可控硅分單向可控硅與雙向可控硅。單向可控硅一般用于彩電的過流、過壓保護電路。雙向可控硅一般用于交流調節電路，如調光臺燈及全自動洗衣機中的交流控制。雙向可控硅是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且僅需一個觸發電路，是目前比較理想的交流器件，一直為家電行業中主要的功率控制器件。近幾年，隨著半導體技術的發展，大功率雙向可控

高性能IGBT提高太陽能逆變器效率2018/09/07

專家估計，市場每年對逆變器的需求大約增長30%；消費者需要更便宜的電子設備，降低產品成本的一個重要途徑就是提高太陽能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產品設計者應對他們所面臨的設計具有更高電路效率和性能的產品的挑戰。這類器件也稱為電導調制場效應晶體管（CMFET），是MOSFET的近親，主要在各種應用中用作電源開關。這些電壓控制的器件在市場上隨處可見，在開關電源設備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效，降低產品成本。一些供應商的產品及其廣泛應用例如，安森美

中、小功率三極管的檢測2018/09/05

A.已知型號和管腳排列的三極管，可按下述方法來判斷其性能好壞(a)測量極間將萬用表置于R×100或R×1K擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進行測試。其中，發射結和集電結的正向電阻值比較低，其他四種接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。但不管是低阻還是高阻，硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。(b)三極管的穿透電流ICEO的數值近似等于管子的倍數β和集電結的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環境溫度的升高而增長很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO

手機白光LED驅動電路解決方案2018/09/05

推動移動顯示由單色轉換為彩色的一個主要趨勢是拍攝功能的集成。初這些成像器件的分辨率相當有限，同時圖像質量也不佳。但隨著技術的發展，分辨率由30萬像素的VGA等級進展到100至200萬級像素，并快速朝向300萬像素以上的分辨率級邁進。在成像器件、處理器與軟件不斷得到改進后，消費者現在希望得到更多的數碼相機功能，例如低照明情況下需要的閃光燈，甚至是自動對焦等。在這樣的分辨率下，良好的畫質輸出以及圖片與視頻分享變得更加實用，這些更高密度的CMOS成像器件需要從目標獲得更多的反射光，因此進一步推動了集成

晶體三極管2018/09/05

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。圖一是NPN管的結構圖，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，從圖可見發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極。圖1、晶體三極管（NPN）的結構當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態

提高取效率降熱阻功率型LED2018/09/05

超高亮度LED的應用面不斷擴大，首*入特種照明的市場領域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術提出了更高的要求。功率型LED封裝技術主要應滿足以下兩點要求：一是封裝結構要有高的取光效率，其二是熱阻要盡可能低，這樣才能保證功率LED的光電性能和可靠性。半導體LED若要作為照明光源，常規產品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，距離甚遠。因此，LED要在照明領域發展，關鍵是要將其發光效率、光通量提高至現有照明光源的等級。功率型LED所用的外延材料采

不同種類的二極管的選用代換2018/09/05

．檢波二極管的選用檢波二極管一般可選用點接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時，應根據電路的具體要求來選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。雖然檢波和整流的原理是一樣的，而整流的目的只是為了得到直流電，而檢波則是從被調制波中取出信號成分（包絡線）。檢波電路和半波整流線路*相同。因檢波是對高頻波整流，二極管的結電容一定要小，所以選用點接觸二極管。能用于高頻檢波的二極管大多能用于限幅、箝位、開關和調制電路。檢波二極管的代換檢波二極管損壞后，若無同型號二極管更換時，也可以選用半導體

45納米技術特性2018/09/04

在英特爾的發展藍圖中，2007年年末推出45納米技術的產品，2009年推出32納米技術的產品，2011年推出22納米技術的產品。“納米”其實是英文“nanometer”的譯名，是一種度量單位，是十億分之一米，約相當于45個原子串起來那么長。而納米技術也就是在納米尺度(0.1nm到100nm之間)的研究物質的相互作用和運動規律，以及在實際應用中利用這些規律的多學科的科學和技術。我們更加熟悉的是在處理器上的納米技術，越來越小的納米工藝數值從一個側面推動了信息產業這幾十年爆炸式的增長。130納米工藝就

利用可重構處理器打造更智能的自主式武器2018/09/04

在消費電子和無線行業，移動設備是當之無愧的。而現在，美國也開始著手為其自主式武器裝備添加移動特性，如此一來，這類武器必須消耗更低的能量。另外，通過板上處理器，這些武器還能對大量的傳感器數據進行篩選及傳輸。美國國防*技術研究計劃署(Darpa)啟動的“多形態計算架構(PCA)”項目，是自主式武器裝備計劃的一部分。據Darpa的信息處理技術辦公室(IPTO)介紹，該項目的目標是開發“可重構和可適應任務需求的處理架構”。這些應用就包括“敏捷”傳感器和智能航空電子設備。據項目參與者介紹，PCA的一個關鍵

40-200GHz硅鍺雙極電路生產工藝和應2018/09/04

10年來，硅鍺雙極集成電路（SiGe-BiCMOS）在無線通訊的推動下得到了突飛猛進的發展。今天SiGe-BiCMOS已被應用于以前被GaAs壟斷的領域，并在許多領域里呈取代GaAs的趨勢。目前廣泛用于通信行業的SiGe-BiCMOS至少有四代。每一代的技術復雜性和性能各異，幾何結構從0.35mm至0.13mm，頻率從40~200GHz。作為示例，圖1顯示了覆蓋主要通信終端市場的捷智半導體的四代SiGe-BiCMOS技術生產工藝。2.SiGe120SiGe120是以10Gb和40Gb產品為目標的

芯片業舵手2018/09/04

四十年前，當戈登·摩爾（GordonMoore）提出“摩爾定律”這樣大膽的預言時，幾乎所有人都只當它是句不切實際的“豪言壯語”，然而，在經過了時間和市場的檢驗后，“摩爾定律”終成為了一個不爭的產業規則。依靠著摩爾這位天才，英特爾公司主宰了芯片產業，而摩爾本人，就像是一位舵手，帶領著整個產業馬不停蹄地發展。毫不夸張地說，任何與電子技術相關的領域都或多或少的從他那里獲得了“恩惠”。《福爾斯》雜志曾這樣評價，“毫無疑義，在技術界中人們需要永遠牢記摩爾的名字，他對整個電子技術產業的貢獻不可估量，他是一位

修復雙重圖形誤差的途徑.切割和縫合2018/09/04

雙重圖形（DP）是指將單層IC版圖分解成兩個光罩，在此過程中，有許多多邊形配置可能會導致違反DP設計規則。其中一些錯誤可藉由增加多邊形之間的間距進行修復。然而有些DP錯誤，像奇數圈(oddcycle)的誤差，可能難以修復。如果你的版圖通過一種類似手術的修正方式，在關鍵節點進行切割來解決DP錯誤，那么就會變得非常簡單。這種修正技術稱為“切割和縫合”(cuttingａndstitching)，通常只將其稱為縫合。讓我們來看一下它的工作原理。圖中給出了一對無法正確分解成兩個光罩的典型版圖配置。左邊上面