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05-06氧化鋁坩堝在單晶硅拉制中的應用:雜質(zhì)污染控制與長晶效率提升
在單晶硅拉制過程中,氧化鋁坩堝憑借其高熔點、良好的耐化學腐蝕性和熱穩(wěn)定性,成為關鍵容器材料。然而,其應用需重點解決雜質(zhì)污染控制與長晶效率提升兩大問題。雜質(zhì)污染控制方面,氧化鋁坩堝需應對來自原料、坩堝材料及工藝環(huán)節(jié)的污染風險。例如,原料中的金屬雜質(zhì)(如Cu、Fe等)可能通過與坩堝接觸引入單晶硅中。此外,氧化鋁坩堝在高溫下可能釋放微量氧化物,污染熔體。為此,需采取嚴格措施:選用高純度氧化鋁原料制備坩堝,降低雜質(zhì)本底;在坩堝表面涂覆保護涂層(如Y?O?涂層),減少熔體與坩堝的直接接觸;優(yōu)化拉晶工藝,采2025
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