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2022
06-17太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(9)：強(qiáng)度調(diào)制光電流譜 IMPS
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、參雜濃度、內(nèi)建電場(chǎng)、陷阱密度、阻抗、理想因子等。強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）測(cè)試中，對(duì)器件施以正弦變化的調(diào)制光強(qiáng)照射，同時(shí)保持恒定電壓并測(cè)量光電流。該實(shí)驗(yàn)可用于表征電荷載流子傳輸特性并計(jì)算傳輸時(shí)間。圖1.IMPS典型曲線調(diào)制光強(qiáng)L（t）描述為：圖2其中L0是偏置光強(qiáng)，Lamp是調(diào)制振幅（通常為L(zhǎng)0的5-10%），2022
05-20太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(8)：電容-電壓(C-V)
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、參雜濃度、內(nèi)建電場(chǎng)、陷阱密度、阻抗、理想因子等。電容電壓（CV）在電容電壓（CV）測(cè)量中，阻抗是在恒定頻率下變化偏置電壓的測(cè)量。可根據(jù)圖1公式計(jì)算電容。為了測(cè)量CV，通常使用低于50kHz的頻率。在大多數(shù)類似二極管的器件中，CV在正向電壓處出現(xiàn)峰值，該峰值的位置通常與探測(cè)頻率、器件厚度無(wú)關(guān)。峰值電壓通常小于內(nèi)建電壓，可以將其視為傳導(dǎo)開始的有2022
05-112022
05-09太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(5)：瞬態(tài)光電流 TPC
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。瞬態(tài)光電流（TPC）在瞬態(tài)光電流（TPC）測(cè)試中，測(cè)量恒定偏置電壓（也可設(shè)置為0V）下光伏器件由于光脈沖而產(chǎn)生的瞬態(tài)電流響應(yīng)過程。電流上升和衰減揭示了電荷載流子遷移率、陷阱和摻雜的信息。TPC通常在不同的偏置電壓、偏置光或光脈沖強(qiáng)度下進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于有機(jī)太陽(yáng)能電池，瞬態(tài)光電流上升時(shí)間通常在1~100μs之間；在鈣鈦2022
05-09太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(6)：CE電荷抽取
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。電荷抽取（CE）在2000年Duffyetal介紹了電荷抽取（CE）技術(shù)，來(lái)測(cè)量染料敏化太陽(yáng)能電池中的電荷載流子密度。Shuttleetal將電荷提取（CE）技術(shù)頻繁用于有機(jī)太陽(yáng)能電池，來(lái)測(cè)量不同光強(qiáng)下的電荷載流子密度。它有時(shí)也被稱為光誘導(dǎo)電荷抽取（PICE）或時(shí)間分辨電荷提取（TRCE）。當(dāng)使用負(fù)向抽取電壓時(shí)，2022
04-27用來(lái)裝置日本SAN-EI 雙燈太陽(yáng)光模擬器的光源通常有哪幾種？
日本SAN-EI雙燈太陽(yáng)光模擬器分為穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)模擬器和脈沖式太陽(yáng)模擬器標(biāo)準(zhǔn)地面陽(yáng)光條件具有1000w/m2的輻照度，AM1.5的太陽(yáng)光譜以及足夠好的均勻性和穩(wěn)定性，這樣的標(biāo)準(zhǔn)陽(yáng)光在室外能找到的機(jī)會(huì)很少，而太陽(yáng)電池又必須在這種條件下測(cè)量，因此，用人造光源來(lái)模擬太陽(yáng)光，即所謂太陽(yáng)模擬器。穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)模擬器是在工作時(shí)輸出輻照度穩(wěn)定不變的太陽(yáng)模擬器，它的優(yōu)點(diǎn)是能提供連續(xù)照射的標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光，使測(cè)量工作能從容不迫的進(jìn)行。缺點(diǎn)是為了獲得較大的輻照面積，它的光學(xué)系統(tǒng)，以及光源的供電系統(tǒng)非常龐大。因此比較適合于制造小面積2022
04-24日本SAN-EI 太陽(yáng)光模擬器好不好，該從哪些方面來(lái)衡量？
日本SAN-EI太陽(yáng)光模擬器廣泛用于研究氣相及液相介質(zhì)、固定及流動(dòng)體系、光催化產(chǎn)氣、紫外光、單色光、可見光光照光催化劑等條件下的光化學(xué)反應(yīng)，具有提供分析反應(yīng)產(chǎn)物和自由基的樣品，測(cè)定反應(yīng)動(dòng)力學(xué)常數(shù)，測(cè)定量子產(chǎn)率等功能。太陽(yáng)光模擬器的分類有兩種，一種是全光譜模擬器，它與大氣質(zhì)量和/或帶通濾光片連用時(shí)能模擬各種太陽(yáng)光譜。另一種是紫外太陽(yáng)光模擬器，能匹配太陽(yáng)光譜的紫外部分，幾乎不會(huì)產(chǎn)生可見光和紅外線。那么太陽(yáng)光模擬器性能好不好，產(chǎn)品好不好該從哪些方能來(lái)考慮衡量，下面我們來(lái)科普一番。1、光譜匹配度光譜匹配2022
04-21太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(4)：深能級(jí)瞬態(tài)光譜 DLTS
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。深能級(jí)瞬態(tài)光譜（DLTS）深能級(jí)瞬態(tài)光譜(DLTS)是一種用于研究半導(dǎo)體及光伏器件中電荷載流子陷阱的技術(shù)。用于提取有關(guān)陷阱密度和陷阱分布的重要信息。圖1DLTS測(cè)試中，在不同溫度下施加不同電壓信號(hào)，測(cè)量隨時(shí)間的推移電容、電流（i-DLTS）或電荷（Q-DLTS）的變化。DLTS用于測(cè)量GaAs半導(dǎo)體器件在不同溫度2022
03-30太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(3)：瞬態(tài)光電壓 TPV、開路電壓衰減 OCVD
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。開路電壓衰減OCVD在開路條件下，太陽(yáng)能電池中外部電流為零。因此，電荷產(chǎn)生等于復(fù)合的電荷。開路條件下通常適合于研究太陽(yáng)能電池中的載流子再?gòu)?fù)合和陷阱動(dòng)力學(xué)。開路電壓衰減（OCVD，有時(shí)也稱為大信號(hào)瞬態(tài)光電壓TPV）測(cè)量揭示了器件的復(fù)合和并聯(lián)電阻的信息。在OCVD測(cè)量中，首先由光源LED或激光照射太陽(yáng)能電池，以產(chǎn)生電2022
03-23太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(2)：Photo-CELIV線性增壓載流子抽取
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。線性增壓載流子抽取(CELIV)技術(shù)目前備受科研工作者青睞，主要用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中電荷載流子遷移率測(cè)量與分析。本章將著重介紹各種類型的CELIV測(cè)試技術(shù)，它們都是基于相同的方法：由外部觸發(fā)在材料中產(chǎn)生位移電流并被測(cè)量，用于抽取材料本身的重要信息。我們可以通過CELIV測(cè)量技術(shù)來(lái)抽取有機(jī)/鈣鈦礦太陽(yáng)能電池2022
03-21原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀是各領(lǐng)域薄膜制備中性價(jià)比較高的儀器
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀是基于基片彎曲法原理，利用Stoney方程，用于能反射激光的各種剛性基體表面的薄膜殘余應(yīng)力的測(cè)試，如Si基片、表面拋光的不銹鋼基片、鈦合金基片、鋁合金基片等。原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，又名薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀或薄膜應(yīng)力儀，是專門用于測(cè)試和研究薄膜材料和薄膜制備工藝的不可少的工具。薄膜中應(yīng)力的大小和分布對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有重要的影響，可導(dǎo)致薄膜的光、電、磁、機(jī)械性能改變.例如，薄膜中的應(yīng)力是導(dǎo)致膜開裂或與基體剝離的主要因素，薄膜中存在的殘余應(yīng)力很多情況下影響MEMS器件結(jié)構(gòu)的特性，甚至嚴(yán)2022
03-17一起來(lái)看看原子層沉積系統(tǒng)的主要功能有哪些呢？
要知道原子層沉積系統(tǒng)這款設(shè)備它的使用范圍也是很廣泛的，雖然說(shuō)在很多行業(yè)里面經(jīng)常會(huì)看到它，但是大部分的人還不是很了解的。不過大家也不用著急，接下來(lái)我們來(lái)講述一下原子層沉積系統(tǒng)的主要功能有哪些呢？想知道的話就接著往下看吧。原子層沉積系統(tǒng)在使用之前我們需要了解的知識(shí)點(diǎn)也有很多。首先，對(duì)于用戶要知道的就是到底什么是原子層沉積系統(tǒng)呢?其實(shí)原子層沉積系統(tǒng)是一種用于化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器。作為廠家，我們還需要明確的告訴大家它的技術(shù)指標(biāo)是反應(yīng)腔腔壁加熱溫度應(yīng)不低于300℃。除此以外的話，沉積系統(tǒng)的反應(yīng)2022
02-24日本SAN-EI 太陽(yáng)光模擬器克服了太陽(yáng)光輻射受時(shí)間和氣候影響
日本SAN-EI太陽(yáng)光模擬器是用來(lái)模擬太陽(yáng)光的設(shè)備，一般包含光源、供電及控制電路、計(jì)算機(jī)等組成部分，基本原理是利用人工光源模擬太陽(yáng)光輻射，以克服太陽(yáng)光輻射受時(shí)間和氣候影響，并且總輻照度不能調(diào)節(jié)等缺點(diǎn)，廣泛用于航空航天、光伏、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域，采用電源與燈箱分體設(shè)計(jì)，燈箱主體采用太陽(yáng)花風(fēng)冷散熱形式，光路轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)采用多次濾光結(jié)構(gòu)，濾除了大量紅外光，減小實(shí)驗(yàn)中紅外線對(duì)溶液或樣品的加熱作用。太陽(yáng)光模擬器外殼是由真空系統(tǒng)制造，并保證通過密封的低靈敏度進(jìn)行密封測(cè)試，當(dāng)將太陽(yáng)模擬器放置在真空室內(nèi)時(shí)，無(wú)法執(zhí)行傳統(tǒng)的強(qiáng)2022
02-23AA*太陽(yáng)光模擬器的性能，可從哪些方面來(lái)分析？
AA*太陽(yáng)光模擬器廣泛用于研究氣相及液相介質(zhì)、固定及流動(dòng)體系、光催化產(chǎn)氣、紫外光、單色光、可見光光照光催化劑等條件下的光化學(xué)反應(yīng)，具有提供分析反應(yīng)產(chǎn)物和自由基的樣品，測(cè)定反應(yīng)動(dòng)力學(xué)常數(shù)，測(cè)定量子產(chǎn)率等功能。太陽(yáng)光模擬器的分類有兩種，一種是全光譜模擬器，它與大氣質(zhì)量和/或帶通濾光片連用時(shí)能模擬各種太陽(yáng)光譜。另一種是紫外太陽(yáng)光模擬器，能匹配太陽(yáng)光譜的紫外部分，幾乎不會(huì)產(chǎn)生可見光和紅外線。那么AA*太陽(yáng)光模擬器性能好不好，產(chǎn)品好不好該從哪些方能來(lái)考慮衡量？下面我們來(lái)科普一番。1、光譜匹配度光譜匹配度的2022
01-242022
01-17一起來(lái)深度了解一下壓電系數(shù)測(cè)試儀
一、壓電系數(shù)測(cè)試儀的原理及用途：1、壓電材料的應(yīng)用十分廣泛，已遍及從日常生活到電子學(xué)各個(gè)領(lǐng)域。在日常生活應(yīng)用中有煤氣爐、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)等點(diǎn)火所用的壓電點(diǎn)火器、電子手表所用的壓電諧振器、聲控門、報(bào)警器和兒童玩具所用的壓電蜂鳴器、偵察所用的能驗(yàn)證個(gè)人筆跡和聲音特征的壓電力敏傳感器等。2、在電子學(xué)各領(lǐng)域應(yīng)用更為廣泛，在電子學(xué)中應(yīng)用的部分壓電器件。由此可見，壓電產(chǎn)品已是電子學(xué)各領(lǐng)域中的關(guān)鍵元器件或部件。除此以外，壓電材料的另一重要應(yīng)用領(lǐng)域是由它們構(gòu)成的高靈敏度、高可靠性的傳感器。3、壓電系數(shù)測(cè)試儀基本原理是2021
12-29太陽(yáng)光模擬器操作規(guī)程，學(xué)會(huì)了嗎？
太陽(yáng)光模擬器用具備光束準(zhǔn)直、光斑均勻、光譜與太陽(yáng)光匹配的特點(diǎn)，可完成需要太陽(yáng)光照射條件的實(shí)驗(yàn)，適用于單晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有機(jī)、III-V族半導(dǎo)體等各種不同類型的太陽(yáng)電池。太陽(yáng)光模擬器不僅應(yīng)用于太陽(yáng)能電池研究、還可用于光電響應(yīng)型器件測(cè)試、表面光電壓譜、光催化、光觸媒、液晶基板的測(cè)試與評(píng)價(jià)、化妝品，涂料，各種材料的耐光實(shí)驗(yàn)、光生物的檢查與測(cè)試、表面缺陷分析等領(lǐng)域。太陽(yáng)光模擬器的操作規(guī)程：(1)儀器對(duì)濕度要求特別高，開機(jī)之前必須有抽濕機(jī)將操作間內(nèi)的濕度維持在50℅以下。(注意:如果模擬2021
12-292021
11-26日本SAN-EI 太陽(yáng)光模擬器可實(shí)現(xiàn)全天候不間斷的光照條件
日本SAN-EI太陽(yáng)光模擬器可以模擬實(shí)驗(yàn)、生產(chǎn)所需的太陽(yáng)光照條件，可實(shí)現(xiàn)全天候不間斷的光照條件，使實(shí)驗(yàn)、生產(chǎn)不受環(huán)境影響，提供高效便捷的測(cè)試條件。適用于單晶硅、多晶硅、非晶薄膜、燃料敏化、有機(jī)、半導(dǎo)體等需要模擬太陽(yáng)光照條件的應(yīng)用。那么評(píng)價(jià)太陽(yáng)光模擬器的指標(biāo)參數(shù)有哪些呢？下面我們一起來(lái)看看。1、輻照不穩(wěn)定度輻照不穩(wěn)定度是太陽(yáng)光模擬器的一種性能參數(shù)，它要求輸出光束保持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性，以確保光源波動(dòng)不會(huì)造成測(cè)試結(jié)果失真，進(jìn)而影響到電池分級(jí)。日本SAN-EI太陽(yáng)光模擬器采用了高穩(wěn)定短弧氙燈，并用高穩(wěn)定低紋2021
11-26太陽(yáng)能電池分析技術(shù)(1)：理想因子、開路電壓與光強(qiáng)
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。JV曲線測(cè)量是太陽(yáng)能電池的最常規(guī)的表征技術(shù)。太陽(yáng)能電池的短路電流（Isc）、開路電壓（Voc）、填充因子（FF）、最大功率點(diǎn)（MPP）和功率轉(zhuǎn)換效率等重要參數(shù)都是由JV曲線獲得。Voc是光伏器件中電流為零時(shí)電壓，如圖1所示。圖1：光照和暗態(tài)下電流電壓曲線（左：線性，右：對(duì)數(shù)）示意圖，注明了上文提到的參數(shù)。測(cè)量開路掃一掃訪問手機(jī)商鋪
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