當前位置:北京卓立漢光儀器有限公司>>技術文章展示
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2022
02-182022
01-242022
01-202022
01-142022
01-07OmniFluo900系列穩態/瞬態熒光光譜儀助力熒光防偽材料研究
防偽自古有之,隨著市場的擴大,一些易被破解的防偽手段逐漸退出歷史舞臺。進入信息市場后,防偽溯源成為一些商品的主要防偽手段,但防偽溯源較難推廣到民用的大規模商品中。熒光防偽,因廣泛的應用在紙幣和證券上被人熟知。第五套人民幣各面額紙幣上均使用了這種方式,日光燈下無法發現圖案,在紫外燈的照射下,會顯示出豐富的熒光圖案。熒光為光致發光現象,在同一傳播介質中,光的波長越短,能量越強,可見光的波長為400nm-700nm,在不需要檢測設備輔助下,熒光防偽通常是看不見的低于400nm的紫外光照射下,產生能量較2022
01-072021
11-162021
10-18實現超高探測率和光-暗電流比的增強型β-Ga2O3 MOSFET日盲光電晶體管
由于可以廣泛用于光學成像,空間光通信、定位導航等領域,作為現代光電設備中關鍵組件的光電探測器(PD)近年來已引起越來越多的研究興趣。目前,商用光電探測器主要基于Si光電二極管,是因為它的低成本和與高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器(深紫外光PD)尚未十分成熟,它們是近年來在火焰探測,機密空間通信,深紫外線成像機方面具有潛在應用的研究熱點。能隙為4.7-4.9eV的Ga2O3材料,由于其高輻射耐受性,高熱穩定性和化學穩定性以及在深紫外區域的強吸收性,是2021
10-182021
10-18基于金屬有機化學氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜的非對稱肖特基結構超高性能日盲光電探測器
Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶,本質上適合日盲光電探測器。Ga2O3有五種同構異形體,單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩定性已經有了大量的研究。其他相,特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對稱的六面體結構,有可能將氮化物和ε-Ga2O3結合起來,形成致力于光電應用的III-氧化物/III-氮化物異質結器件結構,因此而廣受科研工作者關注。在本文中,中國科學技術大學龍世兵課題組通過氯化物輔助MOCVD,成功地生長出了在c-平面藍寶石襯底上的高質量2021
10-14化學氣相沉積生長具有各向異性光熱電超快響應的二維晶體PdSe2
引言PdSe2是一種具有*五邊形褶皺結構的二維材料,具備高遷移率、空氣穩定和可調帶隙等優良性能,之前的研究大多數都是基于光導、光門控和光伏效應的探測機理。因此依賴于外加偏壓或者內接電場來分離電子和空穴,高接觸電阻、低響應度和響應慢等劣勢阻礙了PdSe2的進一步應用。近期,安徽大學李亮課題組通過化學氣相沉積技術生長了高度各向異性的二維PdSe2晶體,基于光電熱效應制備了基于零偏壓驅動的二維偏振光電探測器,可實現在零偏壓下探測超寬范圍波長甚至是任意波長,該探測器具有超寬范圍響應、空氣穩定,偏振光響應2021
10-13【華中科技大學張建兵課題組】紅外量子點合成及其紅外太陽能電池應用研究分享
介紹阻礙光伏器件性能提升的一個重要因素是低于光伏材料帶隙的低能紅外光子無法被充分利用。對于硅而言,大于1100nm的太陽光不能被吸收,而這部分占據太陽光光譜能量的20%;對于帶隙更大的鈣鈦礦而言,不能被利用的太陽光顯著增多。因此,若能夠充分吸收這些低能紅外光子并實現高效轉換,將可在現有基礎上顯著提升對太陽能的利用率。為此,窄帶隙紅外光伏材料被視為實現低能紅外光子利用的關鍵所在。當前,III-V族化合物和Ge是窄帶隙光伏材料的典型代表。但是這類半導體材料制備工藝復雜、成本較高,極大地限制了其廣泛應2021
10-132021
10-11高響應抑制比的金屬-半導體-金屬ε-Ga2O3日盲光電探測器以及增益機制研究
日盲光電探測器對波長在220-280nm范圍內的光敏感,在軍事和商業領域都有著廣泛的應用,例如光學追蹤、光通信和成像。得益于*的材料和電學特性,包括良好的熱學和化學穩定性、優異的抗輻照性能以及直接對應日盲區域的光探測波長,寬禁帶半導體材料具備更顯著的優勢。在過去的幾年里,由于Ga2O3相關材料的優異的抗輻照特性、良好的熱穩定性以及4.7-5.3eV直接對應于日盲波段的超寬禁帶寬度,已經引起了廣泛的關注。目前,幾乎所有關于Ga2O3PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料,然而,探測器的光電性2021
06-212021
06-18銅梯度結構的高載流子傳輸效率CZTSSe太陽能電池制備與性能研究
硫屬薄膜太陽能電池因其低成本、帶隙可調和高輸出性能而進入了一個蓬勃發展的時期,元素含量豐富的鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)是將CIGS中稀有貴金屬In和Ga用元素Zn和Sn替換,不僅與CIGS有著相似的結構和光電學性能,也具備*優點,如儲量豐富、價格低廉、無毒害等。由于鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)材料的相區較窄,通常使用貧銅組分的吸收層結構設計來避免雜相產生。雖然貧銅結構的鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)器件實現了較高的記錄效率,2021
03-252021
03-222021
03-192021
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