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北京卓立漢光儀器有限公司

16
  • 2022

    02-18

    分子熒光光譜在這四個領域中有著重要地位

    分子熒光光譜分析是利用某些物質分子受光照射時所發生的熒光的特性和強度,進行物質的定性分析或定量分析的一種方法。作用:對于稀溶液(吸光度A=εcl≤0.05)而言,其熒光強度F=2.3jI0εcl。式中j是熒光物質的熒光效率;I0為入射光強度;ε為熒光物質的摩爾吸光系數,c為熒光物質的濃度,l為樣品池的厚度。該式表明,在稀溶液(A≤0.05)和I0及l不變的條件下,熒光強度與該物質的濃度成正比。溶液的熒光強度還受到溶劑、溫度、pH值的影響。還會因熒光物質和其他溶質分子的相互作用而降低,這種現象稱為
  • 2022

    01-24

    天吶!角位移臺在正常使用情況下竟然有這么多特點

    角位移臺是用來在小角度范圍內精確旋轉物體的裝置,它繞著空間中的一個固定點進行旋轉。角度位移臺與線性位移臺相似,但它不是提供線性移動,而是繞著位移臺安裝面上方的一個固定點旋轉。在我們的兩種系列產品中,都對旋轉點與安裝面的距離進行了設計,這樣,兩種不同的角度位移臺模型可以堆疊實現XY配置,并且兩種位移臺都可以繞著同一點旋轉。在較小的產品中使用了無反沖的絲桿,在較大的產品中使用了精密的測微頭,從而增強了頂板的角度定位能力。目前該角位移臺采用精密蝸輪蝸桿驅動,有效保證運動精度;使用弧形專用導軌,使得在高
  • 2022

    01-20

    高溫等離子體和低溫等離子體診斷有區別嗎

    1.高溫等離子體和低溫等離子體診斷有區別嗎光譜儀器都是通用的,可以根據實際的測量目標或者對象選擇合適的類型,確定合適的焦距,譜分辨率,線色散率以及配套的探測器等。例如,如果測量跟譜線寬度(多普勒展寬,斯塔克展寬等)有關的物理量,需要譜儀的儀器展寬要小于所需測量的寬度,這時候需要選擇高分辨率光譜儀;如果需要測量寬譜雜質譜線及識別,則通常選擇低分辨率光譜儀。2.這些儀器多少錢商業產品請咨詢代理公司或者儀器生產商。定制化產品,可以聯系李老師討論3.能診斷大氣壓下的氣體放電形成的低溫等離子體嗎光譜儀器都
  • 2022

    01-14

    二維光學調整架在日常使用中具有五大特點

    二維光學調整架同時具有光學調整架和手動旋轉調整架的特性,能夠連續旋轉360°,且可以提供±4°的俯仰/偏轉調節,刻度精度2°的調節,同時調整架的旋轉可用鎖定螺絲鎖定。調整架有三種尺寸,用于直接安裝?1/2英寸、?1英寸或?2英寸光學元件,且具有SM內螺紋,用于兼容?0.5英寸、?1英寸或?2英寸透鏡套管。旋轉調整架非常適合夾持旋轉不對稱的光學元件,如偏振光學元件或圓柱透鏡等。調整架底部2面均配有3個M6的螺紋孔及M4沉孔,為調整架多場景應用提供了靈活的固定方式。對于直接安裝的方式,附帶一個SM螺
  • 2022

    01-07

    OmniFluo900系列穩態/瞬態熒光光譜儀助力熒光防偽材料研究

    防偽自古有之,隨著市場的擴大,一些易被破解的防偽手段逐漸退出歷史舞臺。進入信息市場后,防偽溯源成為一些商品的主要防偽手段,但防偽溯源較難推廣到民用的大規模商品中。熒光防偽,因廣泛的應用在紙幣和證券上被人熟知。第五套人民幣各面額紙幣上均使用了這種方式,日光燈下無法發現圖案,在紫外燈的照射下,會顯示出豐富的熒光圖案。熒光為光致發光現象,在同一傳播介質中,光的波長越短,能量越強,可見光的波長為400nm-700nm,在不需要檢測設備輔助下,熒光防偽通常是看不見的低于400nm的紫外光照射下,產生能量較
  • 2022

    01-07

    氧化鎵日盲探測器的光電特性測試方法研究

    1、引言近年來,隨著導彈預警,臭氧空洞監測等需求的提出,日盲紫外光電探測器件的研發越來越重要,鑒于硅材料的局限性,常用的硅基光電探測器難以滿足日盲紫外光電探測的要求,基于寬禁帶半導體材料的日盲紫外光電探測器成為了新的研究熱點。與AlGaN,MgZnO等寬禁帶半導體相比,β-Ga2O3的禁帶寬度高達4.9eV,無需合金處理就可滿足日盲紫外光電探測的技術要求,不僅可以采用熔體法制備出高質量,大尺寸單晶,而且還具有較高的遷移率,較高的擊穿電場,良好的熱穩定性和化學穩定性,成為近年來興起的重要新興寬禁帶
  • 2021

    11-16

    電化學原位拉曼分析技術應用及解決方案

    電化學原位拉曼分析技術應用及解決方案一、引言拉曼光譜是一種散射光譜,從拉曼光譜中可以得到分子振動能級(點陣振動能級)與轉動能級結構的信息。以其信息豐富、制樣簡單、水的干擾小等*優點,在化學、材料、物理、高分子、生物、醫藥、地質等領域有著廣泛的應用。隨著科學發展的不斷進步,普通的拉曼光譜技術已經不能滿足研究需求,為此科學家們不斷給拉曼光譜開外掛,發展了電化學原位拉曼等原位拉曼表征技術,在分子水平上現場表征、無標記生物醫學成像、結構可視化等方面不斷為科研人員做出神助攻。電化學原位拉曼光譜法的原理是利
  • 2021

    10-18

    實現超高探測率和光-暗電流比的增強型β-Ga2O3 MOSFET日盲光電晶體管

    由于可以廣泛用于光學成像,空間光通信、定位導航等領域,作為現代光電設備中關鍵組件的光電探測器(PD)近年來已引起越來越多的研究興趣。目前,商用光電探測器主要基于Si光電二極管,是因為它的低成本和與高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器(深紫外光PD)尚未十分成熟,它們是近年來在火焰探測,機密空間通信,深紫外線成像機方面具有潛在應用的研究熱點。能隙為4.7-4.9eV的Ga2O3材料,由于其高輻射耐受性,高熱穩定性和化學穩定性以及在深紫外區域的強吸收性,是
  • 2021

    10-18

    嵌入式柔性SERS基底對孔雀石綠殘留的多模式檢測

    近年來,柔性表面增強拉曼(SERS)基底受到極大關注,尤其面對表面污染殘留物的檢測,可直接擦拭檢測,且無損或極小損傷。目前常用的有紙基、玻璃纖維、棉織布等,制備方法主要是將貴金屬納米粒子組裝在柔性基質表面。然而由于貴金屬粒子裸露在表面,缺乏必要的保護,擦拭檢測后貴金屬粒子易受到損害,僅一次性使用,難于重復使用,難于滿足一些特殊的、惡劣環境(如抗超聲破壞、強酸堿介質、高溫低溫環境)的應用需求。聚二甲基硅氧烷(PDMS)具有無毒、化學穩定、柔性、韌性、可拉伸、疏水性等特點,不僅有利于防止檢測液在其表
  • 2021

    10-18

    基于金屬有機化學氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜的非對稱肖特基結構超高性能日盲光電探測器

    Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶,本質上適合日盲光電探測器。Ga2O3有五種同構異形體,單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩定性已經有了大量的研究。其他相,特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對稱的六面體結構,有可能將氮化物和ε-Ga2O3結合起來,形成致力于光電應用的III-氧化物/III-氮化物異質結器件結構,因此而廣受科研工作者關注。在本文中,中國科學技術大學龍世兵課題組通過氯化物輔助MOCVD,成功地生長出了在c-平面藍寶石襯底上的高質量
  • 2021

    10-14

    化學氣相沉積生長具有各向異性光熱電超快響應的二維晶體PdSe2

    引言PdSe2是一種具有*五邊形褶皺結構的二維材料,具備高遷移率、空氣穩定和可調帶隙等優良性能,之前的研究大多數都是基于光導、光門控和光伏效應的探測機理。因此依賴于外加偏壓或者內接電場來分離電子和空穴,高接觸電阻、低響應度和響應慢等劣勢阻礙了PdSe2的進一步應用。近期,安徽大學李亮課題組通過化學氣相沉積技術生長了高度各向異性的二維PdSe2晶體,基于光電熱效應制備了基于零偏壓驅動的二維偏振光電探測器,可實現在零偏壓下探測超寬范圍波長甚至是任意波長,該探測器具有超寬范圍響應、空氣穩定,偏振光響應
  • 2021

    10-13

    【華中科技大學張建兵課題組】紅外量子點合成及其紅外太陽能電池應用研究分享

    介紹阻礙光伏器件性能提升的一個重要因素是低于光伏材料帶隙的低能紅外光子無法被充分利用。對于硅而言,大于1100nm的太陽光不能被吸收,而這部分占據太陽光光譜能量的20%;對于帶隙更大的鈣鈦礦而言,不能被利用的太陽光顯著增多。因此,若能夠充分吸收這些低能紅外光子并實現高效轉換,將可在現有基礎上顯著提升對太陽能的利用率。為此,窄帶隙紅外光伏材料被視為實現低能紅外光子利用的關鍵所在。當前,III-V族化合物和Ge是窄帶隙光伏材料的典型代表。但是這類半導體材料制備工藝復雜、成本較高,極大地限制了其廣泛應
  • 2021

    10-13

    高性能柵極可調非晶Ga2O3薄膜光電晶體管及其日盲成像

    與單晶或多晶Ga2O3相比,非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優勢。本研究開發出了一種具有超高性能和柵極可調光檢測能力的非晶Ga2O3日盲場效應光電晶體管,并對其光電性能進行了全面調研。射頻磁控濺射用于在經濟的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當的背柵電壓(VG),可以很好地控制場效應光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場效應光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測特性,包括4.1×103AW-1的超高光敏性,2.5×1013Jones的高探測率,以及*的外量子效率
  • 2021

    10-11

    高響應抑制比的金屬-半導體-金屬ε-Ga2O3日盲光電探測器以及增益機制研究

    日盲光電探測器對波長在220-280nm范圍內的光敏感,在軍事和商業領域都有著廣泛的應用,例如光學追蹤、光通信和成像。得益于*的材料和電學特性,包括良好的熱學和化學穩定性、優異的抗輻照性能以及直接對應日盲區域的光探測波長,寬禁帶半導體材料具備更顯著的優勢。在過去的幾年里,由于Ga2O3相關材料的優異的抗輻照特性、良好的熱穩定性以及4.7-5.3eV直接對應于日盲波段的超寬禁帶寬度,已經引起了廣泛的關注。目前,幾乎所有關于Ga2O3PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料,然而,探測器的光電性
  • 2021

    06-21

    “禁塑令”進入倒計時!手持拉曼可快速高效鑒別違禁塑料

    在過去的幾十年中,塑料垃圾已成為危害環境的主要污染物。實施了12年的“限塑令”已于2020年12月底在部分城市升級為“禁塑令”,30多地“禁塑令”槍響。由于多數塑料粒子和塑料制品的成分從外觀上很難區分,但是在不少應用場景下快速識別塑料成分卻是個必須的過程,例如塑料制品回收、塑料粒子進料檢驗、進貨檢驗等。目前,對塑料的分析方法主要有目視分析法、光譜法(如傅立葉變換紅外光譜法和拉曼光譜法)、熱分析法以及其他分析方法等(如質譜法以及掃描電子顯微鏡-能譜儀聯用法)。其中,拉曼光譜分析,由于具有無破壞性、
  • 2021

    06-18

    銅梯度結構的高載流子傳輸效率CZTSSe太陽能電池制備與性能研究

    硫屬薄膜太陽能電池因其低成本、帶隙可調和高輸出性能而進入了一個蓬勃發展的時期,元素含量豐富的鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)是將CIGS中稀有貴金屬In和Ga用元素Zn和Sn替換,不僅與CIGS有著相似的結構和光電學性能,也具備*優點,如儲量豐富、價格低廉、無毒害等。由于鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)材料的相區較窄,通常使用貧銅組分的吸收層結構設計來避免雜相產生。雖然貧銅結構的鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)器件實現了較高的記錄效率,
  • 2021

    03-25

    大面積/少層PtS2材料制備與物理特性研究

    從1947年*一只晶體管的誕生,到1958年*一塊集成電路的出現,微電子技術歷經了半個多世紀的發展,現如今給人類社會發展帶來了方便。作為信息產業基礎的半導體材料是微電子、光電子及太陽能等工業的基石,對我國的工業、科技以及國防事業發展都有至關重要的意義。石墨烯作為典型的二維納米材料材料,具備化學、光、電、機械等一系列優良的特性而得到廣泛應用,但石墨烯存在零帶隙、光吸收率低等缺點限制了其更廣泛的應用,與此同時類石墨烯材料應運而生,過渡金屬硫族化合物(TransitionMetalDichalcoge
  • 2021

    03-22

    新型SERS基底制備及其在食品安全檢測中的應用

    介紹亞硝酸鹽(NO2-)被非法用于腌制食品保鮮的添加劑,然而被證明具有致癌風險。因此,開發一種簡單的方法來確且有針對性地監測在飲用水和腌制食品中的亞硝酸鹽含量是十分必要的。迄今為止,已開發出許多用于測定亞硝酸鹽的技術,包括色譜法,化學發光法,分光光度法和電化學測試技術。在這些方法中,電化學技術因其操作簡便、成本低、響應速度快、靈敏度高和選擇性好等特點而受到廣泛歡迎。近十年來,基于新型納米材料構建用于檢測亞硝酸鹽的超靈敏電化學傳感器取得了重大進展,但仍需要高精度且可靠的分析結果來促進化學修飾電極的
  • 2021

    03-19

    鈣鈦礦太陽能電池的PL及TRPL解決方案

    鈣鈦礦太陽能電池簡介鈣鈦礦太陽能電池是一種新結構的產品,是利用鈣鈦礦型的有機金屬鹵化物半導體作為吸光材料的太陽能電池,其發展極為迅速,光電轉換效率在短短的10年間從3.8%到25%,更有各個領域的專家推出鈣鈦礦/硅基疊層太陽能電池,鈣鈦礦/銅基薄膜疊層電池以及全無機鈣鈦礦型太陽能電池等多元化的基于“鈣鈦礦”概念的太陽能電池,有望成為下一代太陽能電池的主力產品。鈣鈦礦太陽能電池的PL及TRPL表征意義1)對于半導體薄膜太陽能電池,熒光壽命的表征有助于研究載流子擴散長度/距離,而在鈣鈦礦型太陽能電池
  • 2021

    03-17

    表面增強拉曼SERS基底制備

    表面增強拉曼散射(Surface-enchancedRamanscattering,SERS)技術由于具有高靈敏度,甚至可達到單分子檢測水平,作為一種有效的分析技術已被廣泛應用于分析化學、環境監測、生物診斷和國土安全等領域的痕量物質檢測。金屬納米顆粒團簇(二聚體,三聚體,四聚體和線性鏈)由于結構簡單,已經成為廣泛用于SERS增強的結構之一。當納米顆粒間隙<10nm時,局部電磁場會極地增強,引起拉曼信號增強,稱為“熱點”。目前制備金屬納米團簇的方法主要有以下兩類:(1)化學改性。在納米顆粒表面修飾
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