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三維垂直場效應晶體管問世 可用來生產高密度數據存儲器件
2022年06月16日 09:03:50
來源：化工儀器網 作者：羊舌木 點擊量：4506
該項器件在至少1000個周期內都可保持穩定，并且研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩定的表面狀態。新方法或將極大地改善非易失性存儲器，催生新的更小、更環保的數據存儲器，有助于實現下一代消費電子產品。
【化工儀器網 項目成果】存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲管理要實現的目的是為用戶提供方便、安全和充分大的存儲空間。隨著近年來的發展, 存儲器的變化日新月異, 各種新型存儲器進入市場, 普及針對新型存儲器的維護方法已經迫在眉睫。
在存儲器的尺寸、容量和可負擔性方面，消費類閃存驅動器已取得了巨大的進步，但新的機器學習和大數據應用程序正繼續推動對創新的需求。此外，支持云的移動設備和未來的物聯網節點也需要節能且體積更小的內存。而當前的閃存技術卻需要相對較大的電流來讀取或寫入數據。
反鐵電場效應晶體管(FET) 可以非易失性方式存儲1和0，這便意味著它不需要一直供電。東京大學工業科學研究所科學家開發了一種基于鐵電和FET的概念驗證3D堆疊存儲單元，該晶體管具有原子層沉積的氧化物半導體通道，其垂直設備結構還增加了信息密度并降低了操作能源需求。此外，他們還發現通過使用反鐵電體代替鐵電體，只需要很小的凈電荷，就能夠提高寫入的效率。
經驗證，該項器件在至少1000個周期內都可保持穩定，并且研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩定的表面狀態。新方法或將極大地改善非易失性存儲器，催生新的更小、更環保的數據存儲器，有助于實現下一代消費電子產品。
(資料來源：科技日報)
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