MDPmap設計用于離線生產控制或研發、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數的小型臺式無觸點電特性測量儀器，在穩態或短脈沖激勵下(μ-PCD)下工作。自動的樣品識別和參數設置允許在從原始生長晶片到高達95%金屬化晶片的各種工藝階段之后，容易地應用于包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優點是靈活性高。例如，它允許集成多達四個激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設施，以及μ-PCD或穩態注入條件的選擇。可以使用不同的測量圖形進行客戶定義的計算，以及導出用于進一步評估的主要數據。對于標準測量，預定義的標準僅通過按一個按鈕即可實現常規測量。