■測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■主要應用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監控等。
■適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ>0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
■全程監控動態測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
■貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。
■專業定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產企業測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■性價比高，國外國外少子壽命測試儀產品，極大程度地降低了企業的測試成本。
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