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產      地:
經開區電子制造產業園16棟3樓
所在地區:
四川綿陽市
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SOI芯片式高速光開關陣列


SOI芯片式高速光開關陣列,該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換,實現了多通道光開關陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝,熱電混調,數字化驅動,偏振相關性小,插入損耗低。

高速光開關SOI芯片

高速光開關SOI芯片

〖性能指標Specifications〗

參數指標

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or 1270nm—1330 nm

消光比

Extinction ratio

dB

19

20

22


插入損耗

Insertion loss

dB

1.6

1.8

2.0


回波損耗

Return loss

dB

40

50



偏振相關損耗

PDL

dB


0.3

0.5


驅動電壓

drive voltage

V

0.9

1

1.2

@300ns

驅動電流

drive current

mA

6

7

9

@300ns

芯片級響應時間

Response Time

ns

30


300


熱調功耗

Thermal tuning power consumption

mW

30


50


通道數

number of channels


8—16或可定制

8—16 or Can be customized


光功率

Transmission optical power

mW

80


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

20(L)×2.5 (W)×0.5(H)

或可定制

or can be customized

ZG

波長

Wavelength

通道數

Number of channels

類型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

XX=other

1=不帶熱調

1=Without temperature regulating thermistor

2=帶熱調

2=With temperature regulating thermistor

XX=other




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