沉積系統介紹
高產量
等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200 mm晶片的高產量工藝。
研發
三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。
沉積系統包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口。可以使用多達兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。
用于研發的SENTECH多腔系統通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業領域高產量的多腔系統。
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北京瑞科中儀科技有限公司
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