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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加,其製造設備也變得更大,需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PECVD 設備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

應用領域
  • 非晶矽前驅物(a-Si)。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽,矽烷基(SiOx)。

  • 氧化矽,TEOS (SiOx)。


配置和優點選件
  • 客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。

  • 優異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線。

  • 遠程電漿進行腔體清潔。

  • 穩定的溫度控制,可將基板加熱到380°C。

  • Cassette傳送站。

  • TEOS沉積製程。

  • OES、RGA或製程監控的額外備用端口。



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