晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F
控制壓力10torr、20torr、50torr
晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F又稱壓力自動調(diào)節(jié)閥，
用于半導體晶圓生產(chǎn)中晶圓背面的微小壓力控制，實現(xiàn)冷卻系統(tǒng)的冷卻功能，減少晶圓的熱損傷。
晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F是壓力控制器GR500F系列中的熱門型號，是壓力自動調(diào)節(jié)閥GR-312F的升級產(chǎn)品，穩(wěn)定性更好，滿足晶圓生產(chǎn)中更嚴格的工藝要求。
晶圓背部壓力控制器Horiba GR-511F最小壓力控制器可以到1.3kpa.
特征
GR-511F是GR-312F的升級產(chǎn)品，Wafer背壓控制；
壓力控制更穩(wěn)定、精度0.5%；
可選擇流量信號反饋；
RoHS 認證
技術(shù)參數(shù)
型號 | GR-511F |
閥門類型 | C: 常閉 |
泄漏率 | ≤ 7 × 10-11 Pa·m3 /s (He) |
工作壓力上限 | 300 kPa (A) |
耐壓 | 350 kPa (A) |
工作溫度 | 5-50 °C (Accuracy guaranteed temp : 15-40 °C) |
電源 | +15 VDC±5 %, 250 mA -15 VDC±5 %, 250 mA |
功率 | 7.5 VA |
輸出信號 | Analog |
氣體 *1 | He, Ar, N2 |
接口 | 1/4 inch VCR |
壓力量程 | 1.333 kPa (A) (10 Torr), 2.666 kPa (A) (20 Torr), |
壓力控制范圍 | 1-100 %F.S. |
精度 *2 | ±0.5 %R.S. |
零點/溫度系數(shù) | ±0.04 %F.S./°C |
量程/溫度系數(shù) | ±0.04 %R.S./°C |
相應(yīng)時間*3 | ≤ 1 sec |
輸入模擬信號 | 0.1-10 VDC (1-100 %F.S.) Input impedance ≥ 1 MΩ |
輸出模擬信號 | 0-10 VDC (0-100 %F.S.) Minimum resistance 2 kΩ |
流量滿量程 *1 | 20, 50, 100 SCCM |
流量精度 *4 *5 | ±1 %R.S. (Flow rate > 25 %F.S.) |
流量輸出信號 | 0-5 VDC (0-100 %F.S.) Minimum resistance 2 kΩ |
材質(zhì) | SUS316L |
安裝方向 *6 | Free |
重量*7 | 1.5 kg |
實物圖片
GR-511F、IGS接口14C3
應(yīng)用案例
熱門型號：GR312F、GR314F、GR317F、GR511F、GR-224FD
UR-Z712M、UR-Z712M-B、UR-Z722M、UR-Z722M-B、UR-Z732M、UR-Z732M-B、UR-Z714M-B、UR-Z724M-B、UR-Z734M-B。
周邊產(chǎn)品
horiba質(zhì)量流量控制器，熱門型號
SEC-Z717SMGC、SEC-Z727SMGC、SEC-Z717MGC、SEC-Z717MGC、
HORIBA 是氣體和液體質(zhì)量流量控制器制造商之一，擁有一系列模擬、數(shù)字和高溫質(zhì)量流量控制器以及使用點液體源汽化控制和輸送系統(tǒng)。
HORIBA 可以為您的涂層工藝生產(chǎn)線提供穩(wěn)定的控制，如化學氣相沉積 (CVD)，原子層沉積 (ALD)，金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)， PVD (物理氣相沉積)，等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 和金剛石沉積或金剛石涂層 (DLC)。我們的產(chǎn)品提供全面的流體控制和過程監(jiān)控，以提高產(chǎn)量，增加吞吐量，并為您的涂層過程提高效。
本公司同時提供日本HORIBASTEC的質(zhì)量流量計、質(zhì)量流量控制器、數(shù)字式質(zhì)量流量控制器、耐腐蝕質(zhì)量流量控制器、數(shù)字壓力自動調(diào)節(jié)閥、壓力控制器、薄膜硅真空計、汽化器、殘余氣體分析儀。
上海進佳科學儀器有限公司
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