高溫高壓光學浮區爐

日本CSC司推出的高溫高壓光學浮區法單晶爐能夠提供2200℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

模型fz - t - 10000 h -八世(vpo)電腦

鹵素燈系統

燈和鏡子的數量4個

鏡子數量4片

大氣

壓力

壓力0.95 MPa

真空6.7×10-3Pa (5×10-5 Torr)

室

(石英管)

常壓φ 50mm / 365 mm長/ 2mm厚

高壓φ 50mm / 365 mm長/ 5mm厚

軸密封為o型密封圈

Max。溫度2200℃

常溫1850℃

燈功率1200w (300W × 4個燈)

4,000W (1,000W x 4盞燈)

6,000W (1,500W × 4盞燈)

鏡臺/軸鏡臺與上軸垂直轉移

周圍溫差

桿面

＜30℃

燈具冷卻空氣

鏡面冷卻空氣

Max。晶體長度(mm) 150

Max。進給長度(mm) 150

生長罕見緩慢移動0.01~300mm/hr

生長速度快移6~150mm/min

軸轉速5~100rpm

監控CCD攝像頭和LCD

控制系統計算機LabVIEW / Windows 10(帶遠程控制功能)

手動Hand-control-box

①5L/min氬氣流量計(*1)

②500cc/min氧流量計

③10L/min帶壓縮機的空氣流量計

公用事業電力3相200V, 40A

水冷：3 ~ 5 l / min

尺寸(mm)主體W850×D760×H1950

控制箱W605×D760×H1700

備注:

1. 可選燈功率:150W / 500W / 750W

2. (*1)可更改其他類型的氣體和流量。

3. 質量保證:

Crystal Systems Corporation保證自安裝之日起一(1)年內有效，但以下情況除外

不正常使用。(1)燈(2)鏡子(3)石英管等玻璃器皿不在保修期內。