kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上，實(shí)現(xiàn)了晶片的溫度實(shí)時(shí)檢測(cè)。

kSA BandiT多晶片溫度監(jiān)控軟件結(jié)合了自動(dòng)伺服馬達(dá)控制的掃描檢測(cè)功能,從而實(shí)現(xiàn)了MBE外延薄膜生長過程中多襯底溫度實(shí)時(shí)Mapping檢測(cè)。

該系統(tǒng)在外延薄膜生長過程提供襯底/晶片實(shí)時(shí)的二維溫度信息的系統(tǒng)。對(duì)Wafer（及薄膜）表面溫度實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵的直接檢測(cè)；采用溫度和半導(dǎo)體材料對(duì)光的吸收邊（譜帶能量）相關(guān)性原理，即材料的本征特性，使得測(cè)量結(jié)果更為準(zhǔn)確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統(tǒng)等和熱處理、退火設(shè)備上，進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度檢測(cè)。

kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀

技術(shù)參數(shù)：
 溫度范圍：室溫~1300攝氏度；
 溫度重復(fù)性：0.2攝氏度；
 溫度分辨率：0.1攝氏度；
 穩(wěn)定性：+/-0.2攝氏度；

主要特點(diǎn)：
    *實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監(jiān)測(cè)；
    *多基片/晶片表面2D溫度Mapping監(jiān)測(cè)；
    *真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度監(jiān)測(cè)；
    *整合了新的黑體輻射監(jiān)測(cè)技術(shù)；
    *沉積速率和薄膜厚度分析；
    *表面粗糙度分析功能；
    *測(cè)量波長范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等）
    *避免了發(fā)射率變化對(duì)測(cè)量的影響；
    *無需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層；