ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

本公司7月15日13點(diǎn)49分報(bào)道：ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的主機(jī)接受測(cè)試頭的產(chǎn)品研發(fā)#技術(shù)新聞

產(chǎn)品描述

ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)接受測(cè)試頭，用于對(duì)半導(dǎo)體器件如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、功率MOSFET、二極管以及其他雙極器件進(jìn)行無(wú)損瞬態(tài)測(cè)量（需要額外的可選偏置電源和定制的人格板）。主機(jī)中包含分析和執(zhí)行電阻和電感開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、柵電荷、Trr/Qrr及其他瞬態(tài)測(cè)試所需的所有測(cè)試設(shè)備和軟件。測(cè)試頭設(shè)計(jì)用于特定類型的瞬態(tài)測(cè)試，與主機(jī)上的特殊測(cè)試頭接收器配合使用。盡管測(cè)試頭僅設(shè)計(jì)執(zhí)行一項(xiàng)特定的測(cè)試，但每個(gè)測(cè)試頭中的人格板可以重新配置測(cè)試頭，以適應(yīng)特定器件、器件封裝和各種器件電路排列。

測(cè)試頭

→ITC57210-N和P溝道功率MOSFET的R開(kāi)關(guān)時(shí)間，MIL-STD-750，方法3472

→ITC57220-功率MOSFET和二管的Trr / Qrr，MIL-STD-750，方法3473

→ITC57230-功率MOSFET的柵電荷，MIL-STD-750，方法3471

→ITC57240-IGBT的電感性開(kāi)關(guān)時(shí)間，MIL-STD 750，方法3477

→ITC57250-短路（Isc）耐受時(shí)間，MIL-STD 750，方法3479

→ITC57260-功率MOSFET的柵電阻（Rg），輸入電容（Ciss），輸出電容（Coss）和反向電容（Crss），JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD24-11

性能

→測(cè)試電壓：高達(dá)1200 Vdc，200 A（短路電流可達(dá)1000A）

→時(shí)間測(cè)量：最小1納秒

→排水電流限制監(jiān)測(cè)

相關(guān)關(guān)鍵詞：示波器，力科示波器，泰克示波器，安捷倫示波器，是德示波器，數(shù)字示波器，示波器，網(wǎng)絡(luò)分析儀，信號(hào)分析儀，信號(hào)發(fā)生器，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，頻譜分析儀，晶體管圖示儀，直流電源，可編程直流電源，半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)，協(xié)議分析儀，藍(lán)牙協(xié)議分析儀，以太網(wǎng)測(cè)試系統(tǒng)，邏輯分析儀，阻抗分析儀，電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀，電磁波場(chǎng)強(qiáng)分析儀，是德頻譜分析儀，安捷倫信號(hào)分析儀，函數(shù)發(fā)生器，任意波形發(fā)生器，矢量信號(hào)發(fā)生器，安捷倫網(wǎng)絡(luò)分析儀，半導(dǎo)體測(cè)試儀，半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)，功率器件分析儀，動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，星群模擬器系統(tǒng)，GNSS模擬器，無(wú)線通信測(cè)試儀，綜合測(cè)試儀，無(wú)線測(cè)試儀，網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀，USB協(xié)議分析儀，力科分析儀，SATA協(xié)議分析儀，以太網(wǎng)協(xié)議分析儀，精密阻抗分析儀，精密型LCR表，日置阻抗分析儀，穩(wěn)科阻抗分析儀，程控直流電源，直流電源分析儀，雙通道直流電源，數(shù)字萬(wàn)用表，力科邏輯分析儀，WIFI6測(cè)試系統(tǒng)，示波器探頭，電機(jī)驅(qū)動(dòng)分析儀，串行數(shù)據(jù)分析儀，磁盤驅(qū)動(dòng)分析儀，安規(guī)測(cè)試儀，耐壓測(cè)試儀，耐壓測(cè)試分析儀