一、設備概述

　　1、平臺用途：磁控濺射與分子束外延是一種超高多靶磁控濺射沉積—多功能電子束—分子束聯合蒸發鍍膜實驗平臺，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導體薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜，用超高真空電子束—分子束聯合蒸發鍍膜的方法制備Ti、Al和Cu等金屬電極膜及化合物、半導體薄膜，同時還可以用于基片和薄膜的等離子清洗退火。

　　2、靶、基片及加熱材料

　　磁控濺射與分子束外延可以采用單靶獨立工作或三只靶輪流工作、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式，向心濺射，射頻直流兼容，靶材可以是金屬或陶瓷等，磁性材料或非磁性材料。

　　所有靶面均可以沿軸向電動位移，大位移量±100mm，可變角度0～30º。所有靶上都帶有電動檔板，以防止靶面在未工作時被污染。

　　靶芯采用新式磁場結構，靶面刻蝕均勻，靶材利用率高，基片上薄膜生長均勻，其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。

　　該設備有電動基片擋板，以防止靶未穩定工作時污染基片。

　　3、基片及加熱材料

　　該設備的基片有效鍍膜直經：4吋，整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪，基片架采用框式結構，樣品交接容易，基片架不變形，鍍膜時基片轉動，旋轉速度2～30轉/分可調，鍍膜均勻。基片有擋板，防止污染。基片加熱器及溫控系統1套，基片加熱器電動升降機構行程±20mm，樣品加熱溫度：常溫～1700○C可調。基片電動升降機構行程±30mm，焊接金屬波紋管密封,真空室真空度可達2×10-7Pa

　　該設備配有基片擋板，以防止束源未穩定工作時污染基片。樣品架在鍍膜時旋轉，基片上薄膜生長均勻，其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。