KLA R54 四探針電阻率測量儀

KLA R54 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品介紹：

KLA R54 四探針電阻率測量儀是KLA的電阻率測量產(chǎn)品。從半導體制造到實現(xiàn)可穿戴技術所需的柔性電子產(chǎn)品，薄膜電阻監(jiān)控對于任何使用導電薄膜的行業(yè)都相當重要。KLA R54 四探針電阻率測量儀在功能上針對金屬薄膜均勻性測繪、離子注入表征和退火特性、薄膜厚度和電阻率測量以及非接觸式薄膜厚度測量進行了優(yōu)化。

KLA R54 四探針電阻率測量儀優(yōu)勢：

• 測試點自定義編輯,包括矩形、線性、極坐標以及自定義配置

• 可選至多可容納300毫米圓形或A4（210mm*297mm）樣品

• 導體和半導體薄膜電阻，10個數(shù)量級范圍適用

• 可配置四探針(4PP)或非接觸式渦流(EC)模式

• 封閉系統(tǒng)便于測量光敏或者環(huán)境敏感樣品

• 支持15mm最大樣品高度

• 高精度X-Y平臺

• 較小的EC探頭尺寸

• 自動EC探針高度誤差校正

• 兼容KLA薄膜電阻測量探針;

KLA R54 四探針電阻率測量儀測量原理：

四點探針(4PP)由四個導電探針組成的探頭以可控力接觸導電層表面,其中在被測導電層和襯底之間有非導電阻擋層。標準測量的探針配置是在兩個外側(cè)探針之間施加電流并在兩個內(nèi)側(cè)探針之間測量電壓。測量薄膜電阻時，導電層厚度應小于兩個探針之間距離的1/2。KLA在R54四探針電阻率測量儀上研發(fā)了雙模技術，該技術允許測量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應動態(tài)校正和探針間距誤差補償功能。KLA提供了豐富的探針類型以適用和優(yōu)化不同表面材料的特性表征測量，幾乎可用于任何導電薄膜或離子注入層。

電渦流(EC)是非接觸式導電薄膜測量技術。通過線圈施加時變電流以產(chǎn)生時變磁場，當該磁場靠近導電表面時，會在該表面中產(chǎn)生感應時變電流（渦流)。這些電渦流反過來會產(chǎn)生它們自己的時變磁場，該磁場與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號變化。KLA特殊的EC技術，單個探頭位于樣品頂部，可以動態(tài)的調(diào)整每個測量點的探頭高度，這對測量的準確性和重復性相當重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于4PP接觸法測量的樣品。

KLA R54 四探針電阻率測量儀行業(yè)應用：

KLA R54 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品應用：

一、金屬薄膜均勻性

金屬薄膜的薄膜電阻均勻性對于確保元件性能相當重要，大多數(shù)金屬薄膜都可以通過4PP和EC進行測量。EC推薦用于較厚的高導電金屬膜，4PP適用于較薄的金屬膜(>10Ω/sq)，但無論如何，4PP/EC均表現(xiàn)出高相關性，從而可以使用任何一種方法都可以獲得準確的結(jié)果。KLA R54 四探針電阻率測量儀電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質(zhì)量及其它工藝波動。

二、離子注入表征

4PP法是衡量離子注入工藝的標準測量技術。在熱退火后通過測試離子注入分布可以識別由于燈故障、晶圓/平臺接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點和冷點。對于硅離子注入層，熱退火工藝對于活化摻雜離子是必要的。

三、薄膜厚度/電阻率/薄膜電阻

通過采集的晶圓數(shù)據(jù)，KLA R54 四探針電阻率測量儀可以繪制出薄膜電阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過輸入材料的電阻率,可以計算和顯示膜厚分布;或者通過輸入膜厚數(shù)據(jù),則可以計算電阻率分布。

四、數(shù)據(jù)采集和可視化

KLA R54 四探針電阻率測量儀的RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和分析功能結(jié)合在一起，擁有直觀的可視化界面，即可以用于設備本身，也可以進行離線使用。軟件自帶的各種坐標布局工具可以幫助用戶輕松設置數(shù)據(jù)測量點。

KLA R54 四探針電阻率測量儀產(chǎn)品參數(shù)：

KLA R54 四探針電阻率測量儀測量圖：