1. 產品概述

Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統，優異的氣流場和加熱場設計提供優良的工藝性能。

2. 設備用途/原理

Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統，優異的氣流場和加熱場設計提供優良的工藝性能，高效傳輸設計，可提高產能，單、雙、四腔兼容設計，可滿足不同客戶需求。

3. 設備特點

晶圓尺寸12 英寸適用材料 硅，適用工藝 N&P 常壓硅外延，適用域 科研、集成電路。百科：?常壓硅外延系統的原理?主要涉及到在單晶襯底上生長一層與襯底晶向相同的單晶層，這層新生長的單晶層可以在導電類型、電阻率等方面與襯底不同，從而生長出不同厚度和不同要求的多層單晶，以提高器件設計的靈活性和器件的性能。外延生長技術發展于20世紀50年代末60年代初，當時為了制造高頻大功率器件，需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層，以滿足減小集電極串聯電阻、材料能耐高壓和大電流的要求。此外，外延工藝還廣泛用于集成電路中的PN結隔離技術和大規模集成電路中改善材料質量方面。