捷尼賽思 原子層沉積
具體成交價以合同協議為準
- 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
- 品牌 Beneq
- 型號 捷尼賽思
- 產地
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2025/6/5 19:55:57
- 訪問次數 322
產品標簽
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價格區間 | 面議 | 應用領域 | 綜合 |
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材料選擇
多種 ALD 材料可供選擇,可滿足您的要求。 多年來,Beneq 一直是用于研發和工業生產的卷對卷原子層沉積系統的先驅。我們的常用材料包括 Al?O?、TiO?、ZnO、ZnS、SiO? 或可根據要求提供的任何其他材料。
功能亮點
卷筒紙寬度:最大420mm
ALD鍍膜厚度:最大100nm
動態沉積速率 (Al2O3): 10 nm *m/min
過程溫度:最高 250°C
定制
在最大420mm的卷筒紙寬度下,Genesis ALD適用于實驗室研發或中試規模生產。 設計用于將 ALD 薄膜處理到聚合物或金屬等柔性基材上。通過與我們的合作伙伴 E+R Group(卷對卷真空鍍膜機公司)合作,我們為客戶提供更寬的卷筒紙和生產線集成的可選設計。
市場和應用
用于電池、太陽能和柔性電子產品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。
各種類型鋰離子和固態電池的陰極和陽極的鈍化
用于柔性太陽能電池的導電層和封裝
用于柔性電子產品的防潮層