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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備>捷尼賽思 原子層沉積

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捷尼賽思 原子層沉積

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原子層沉積

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創新型中小企業、科技型中小企業、規模以上工業企業。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發

價格區間 面議 應用領域 綜合

材料選擇

多種 ALD 材料可供選擇,可滿足您的要求。 多年來,Beneq 一直是用于研發和工業生產的卷對卷原子層沉積系統的先驅。我們的常用材料包括 Al?O?、TiO?、ZnO、ZnS、SiO? 或可根據要求提供的任何其他材料。

功能亮點

  • 卷筒紙寬度:最大420mm

  • ALD鍍膜厚度:最大100nm

  • 動態沉積速率 (Al2O3): 10 nm *m/min

  • 過程溫度:最高 250°C

定制

在最大420mm的卷筒紙寬度下,Genesis ALD適用于實驗室研發或中試規模生產。 設計用于將 ALD 薄膜處理到聚合物或金屬等柔性基材上。通過與我們的合作伙伴 E+R Group(卷對卷真空鍍膜機公司)合作,我們為客戶提供更寬的卷筒紙和生產線集成的可選設計。

市場和應用

用于電池、太陽能和柔性電子產品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。

  • 各種類型鋰離子和固態電池的陰極和陽極的鈍化

  • 用于柔性太陽能電池的導電層和封裝

  • 用于柔性電子產品的防潮層






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