1.產品概述：

提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案，LED工業要求高產量，高器件質量和低購置成本。PlasmaPro1000更好地解決了這些需求。

2.設備原理：

PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，終在樣品表面形成固態薄膜。

3.產品特點：

真更大的批量生產能力

高產量

更穩定的器件質量

低購置成本

提供單晶圓傳送腔室或者多至三個腔室的集群式配置

標準的真空傳送腔室，具有直開式和集群式選項

出色的正常運轉時間

高質量器件性能和良率藝

4.設備工藝

490mm電-更為先進的批量規模，多達7x6”晶圓，提供了更高的產量

可靠的硬件系統易維護性-出色的正常運轉時間

壓盤-增強晶圓冷卻

Z向可移動電-更好的均勻性

雙進氣口-易于工藝調整

特殊的載盤設計-每片晶圓在小的邊緣去除區域之內，均獲得有效的冷卻，且易于使用和維護

高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構-確保提升了工藝均勻性和速率

提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案，LED工業要求高產量，高器件質量和低購置成本。PlasmaPro1000更好地解決了這些需求。

490mm電-更為先進的批量規模，多達7x6”晶圓，提供了更高的產量

可靠的硬件系統易維護性-出色的正常運轉時間

壓盤-增強晶圓冷卻

Z向可移動電-更好的均勻性

雙進氣口-易于工藝調整

特殊的載盤設計-每片晶圓在小的邊緣去除區域之內，均獲得有效的冷卻，且易于使用和維護

高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構-確保提升了工藝均勻性和速率