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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>其它半導體行業儀器設備>其它半導體設備> 碳化硅半絕緣電阻率測試儀

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碳化硅半絕緣電阻率測試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術的非接觸式半導體檢測分析設備制造商。公司集研發、設計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術,替代進口產品,使半導體材料測試設備國產化。

主要產品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案

憑借*的技術和豐富的產品設計經驗申請各項知識產權20余項,已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商,產品得到眾多國內外主流半導體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

價格區間 面議 應用領域 環保,電子/電池,航空航天,電氣,綜合

半導體材料根據時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質材料,其特點為開關便捷,一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導體,主要用于發光及通訊材料。第三代半導體主要包括碳化硅、氮化鎵等化合物半導體和金剛石等特殊單質。憑借優秀的物理化學性質,碳化硅材料在功率、射頻器件領域逐漸開啟應用。

第三代半導體耐壓性較好,是大功率器件的理想材料。第三代半導體主要是碳化硅和氮化鎵材料,SiC的禁帶寬度為3.2eV,GaN的禁帶寬度為3.4eV,遠超過Si的禁帶寬度1.12eV。由于第三代半導體普遍帶隙較寬,因此耐壓、耐熱性較好,常用于大功率器件。其中碳化硅已逐漸走入大規模運用,在功率器件領域,碳化硅二極管、MOSFET已經開始商業化應用。

按照電學性能的不同,碳化硅襯底可分為半絕緣型碳化硅襯底和導電型碳化硅襯底兩類,這兩類襯底經外延生長后分明用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。其中,半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件、光電器件等。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件。導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上,需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片,并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。



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