在半導體制程中，12寸晶圓清洗機作為關鍵工藝設備，承擔著為高性能芯片生產提供超凈基底的重任。以下是對其核心特性與功能的詳細介紹：

一、設備概述

12寸晶圓清洗機專為大尺寸（300mm）晶圓設計，集化學清洗、超聲波空化、物理噴淋與干燥技術于一體，可高效去除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬污染及氧化層等雜質，滿足納米級芯片制造對潔凈度的嚴苛要求。其自動化流程與智能化控制，確保清洗過程精準、穩定、可追溯。

二、核心技術與功能

多模式清洗技術

超聲波清洗：高頻振動（通常10-40kHz）產生空化效應，剝離微小顆粒與頑固污漬，深入晶圓表面微結構。

化學噴淋：通過精確調配的酸性或堿性清洗液，溶解有機物、金屬殘留及原生氧化膜。

刷洗輔助（可選）：軟質刷條輕柔擦拭晶圓邊緣，去除高危區域的顆粒堆積。

智能工藝控制

參數可調：支持自定義清洗時間、溫度、噴淋壓力、超聲功率等參數，適配不同工藝需求（如蝕刻后清洗、光刻膠去除等）。

實時監測：內置傳感器監控清洗液濃度、pH值、流量及腔體潔凈度，異常時自動報警并停止運行。

數據追溯：記錄每次清洗的參數與結果，符合ISO及SEMI標準，便于良率分析與工藝優化。

高潔凈度保障

腔體設計：采用PFA涂層或不銹鋼材質，耐化學腐蝕，避免微粒脫落；模塊化結構減少死角，便于清潔維護。

過濾系統：清洗液經多級過濾（如0.1μm濾芯），循環使用，降低耗材成本。

干燥技術：結合離心旋轉與惰性氣體（如氮氣）吹掃，快速干燥晶圓，防止水漬殘留導致氧化。

三、設備優勢

高效產能：單次可處理多片12寸晶圓，支持自動化上下料（如配合機械臂或傳送帶），提升生產效率。

精準均勻：噴淋臂與超聲波場均勻分布，確保晶圓表面各區域清洗效果一致，尤其適用于復雜圖案化的晶圓。

兼容工藝：適用于FinFET、GAA等納米制程，可處理EUV光刻膠殘留、高深寬比結構污染等挑戰性場景。

環保節能：封閉式液體循環系統減少化學液消耗，廢液分類回收設計符合綠色制造標準。

12寸晶圓清洗機融合前沿清洗技術與智能化控制，以超潔凈、高均勻、低損傷的特性，成為半導體制造的核心設備，助力芯片產業突破制程極限，邁向更高精度與穩定性。