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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備> AT200M 經濟型原子層沉積設備

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AT200M 經濟型原子層沉積設備

具體成交價以合同協議為準

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聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


 

FIRSTNANO成立于2012年,一家由三位材料學博士共同創辦的德國公司。基于 Science is international”的想法,“全球協同實驗室”成為三位博士追逐的夢想。

公司愿景是從科學家到科學家,科學開創美好未來。

FIRSTNANO深耕于半導體技術、材料科學、生命科學等科研領域,始終秉承“前沿、專業、科學”的宗旨,將前沿技術引進到協同實驗室。我們的產品覆蓋了微納加工制程;材料科學的檢測、分析;生命科學成像,腦科學與行為認知等相關領域。作為全球科技前沿的儀器供應商,FIRSTNANO具有全球技術視野、優質供應體系、以及嚴格的質量管控系統,能為客戶提供前沿的技術解決方案。

公司服務的客戶領域廣泛,其中包括消費電子、航空、航天、醫藥技術、半導體行業、光電子行業、高校和研究機構。

在成長的過程中,我們腳踏實地、奮勇向前。自2015年香港(中華區)公司成立以來,我們一相繼在香港、深圳、上海和武漢設立了分支機構。

我們真誠邀請業內英才加入FIRSTNANO TEAM,一起為夢想揚帆起航!

 

 

 

 

 

半導體儀器和電子產品耗材耗材

價格區間 50萬-100萬 應用領域 電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣

AT200M 經濟型原子層沉積設備

AT200M 經濟型原子層沉積設備


  • 占地面積小(~ 15 英寸 3 或 38.1 厘米 3:寬:14 英寸(35.5 厘米)x 深:15 英寸(38.1 厘米)x 高:14.5 英寸(36.5 厘米))

  • 適合手套箱

  • 可容納來自 2“ x 2” x 3“ 或四個 2” 圓形/方形晶圓的樣品(可定制卡盤/8 x 2“ 盒)

  • 一種前驅體和一種反反應物(也提供我們的 4 端口選項:3 個前驅體和 1 個反反應物或 2 個前驅體和 2 個反反應物)

  • AT 200M Plus,配備 13.56MHz、80W 空心陰極等離子體源(1 個標準 MFC 和最多 2 個可用)。

  • 帶有金屬密封線的半導體級組件

  • 通風前體外殼

  • 高溫兼容、快速脈沖的 ALD 閥,帶有用于集成惰性氣體吹掃的超快速 MFC

  • 前體(最高 180°C),歧管,腔室加熱以確保無冷凝。

  • 強大的 PLC 驅動用戶界面(可通過 Windows 進行遠程以太網控制)

  • 不銹鋼腔體可加熱至 300°C(可選卡盤可達 450 °C 或更高)


特征


  • 占地面積小(~ 15 in3 或 38.1 cm3),可輕松安裝在手套箱中或 SEM/TEM 蒸發器旁邊。

  • 一個前體和一個反反應物(可擴展到 4 個)

  • 可容納來自 2“ x 2” x 3“ 或四個 2” 圓形/方形晶圓的樣品(可定制卡盤/8 x 2“ 盒)

  • 通風前體外殼

  • 高溫兼容、快速脈沖的 ALD 閥,帶有用于集成惰性氣體吹掃的超快速 MFC – 標準配置

  • 金屬密封線

  • 前體(最高 180°C),歧管,腔室加熱以確保無冷凝。

  • 不銹鋼腔室可加熱至 300°C(可選擇 450 °C 或更高)

  • 帶集成 PLC 控制器的 5 英寸顯示器(無需 PC)


規格


  • 室溫從室溫到 300°C ± 1 °C

  • 前驅體溫度從室溫到 180°C ± 2°C(帶加熱夾套)

  • 市場上占地面積最小(1.6 平方英尺),臺式安裝,潔凈室兼容(與我們大型系統的所有安全聯鎖裝置),也適合手套箱。

  • 系統維護簡單,公用事業和前體使用量低。

  • 腔室容積小

  • 非常快的循環能力。

  • 完整的硬件和軟件聯鎖,即使在多用戶環境中也能安全運行


選項


  • · 無需集成手套箱 [適合手套箱(或連接到手套箱的側面)

  • · 定制卡盤/壓板(方形、圓形、雙基板、籃子、小件、較厚的基板、8 個晶圓盒)。

  • · 新 AT 200M Plus,配備 13.56MHz、80W 空心陰極等離子體源(1 個標準 MFC 和最多 2 個可用)。

  • · 新產品:溫度補償 QCM

  • · 新:450 °C(或更高)卡盤

  • · ATOzone – 臭氧發生器(某些薄膜需要:Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高質量 Al2O3、高質量 HfO2

  • · 可選 – 臭氧安全監測器,可實時檢測環境臭氧氣體

  • · 4 端口選項(例如:2 個加熱前驅體、1 個未加熱前驅體、1 個反反應物)

  • · 新 – 6 端口選項(例如:2 個加熱前驅體、2 個未加熱前驅體、2 個 MFC 控制的反反應物)

  • · 新 – MLD 選項

  • · 粉末涂料滾筒

  • 外部控制 – PC/軟件鏈接(允許遠程編程和運行)

  • 包括可通風前體柜


AT200M 經濟型原子層沉積設備

安裝


有關詳細說明,請參閱我們的說明:“AT200M 安裝和啟動

  • · N2 吹掃氣體應為 >99.9995%,帶截止閥(調節至 10 – 30 psi,金屬密封),

  • · 通過 1/4 英寸金屬密封管將氮氣 (UHP) 吹掃氣體連接到背面的 1/4 英寸壓縮接頭上

  • · 通過 1/4“ 聚乙烯管或金屬線將 90-110 psi CDA(清潔干燥空氣)連接到另一個 1/4” 壓縮接頭

  • · 使用適當的 1 英寸真空(金屬 (SS))軟管 (KF25)、O 形圈和夾子連接泵

  • · 真空泵的另一側(排氣側)(* 全氟真空油,如 Fomblin,必需)應進入標準實驗室排氣或頂部,抽> 5cfm(1 英寸管道)。

  • · 大于 1 米需要使用 1.5 英寸 (NW40)。

  • · 前體通過內螺紋 VCR 彎頭連接(始終使用新墊圈)。

  • · 先是 1/4 英寸墊圈(戴手套)

· 有關前驅體的連接,請參閱 AT200M 安裝和啟動


AT200M 經濟型原子層沉積設備


軟件


有關詳細說明,請參閱我們的演示和視頻說明:“AT200M 安裝和啟動 ”

  • 帶 5 英寸觸摸屏的人機界面 (HMI) PLC 系統


  • 面板

  • · 適用于標準 ALD 循環沉積的先進控制

  • · 用于高質量、經過測試的工藝的配方數據庫

  • · 自定義配方輸入屏幕

  • · 實時顯示工藝狀態

  • · 可單獨編程的加熱源溫度

  • · 用于三元化合物和納米層壓板的內置脈沖序列

  • · 快速運行,簡單的問題讓用戶開始

  • · 輸入子周期和總周期


AT200M 經濟型原子層沉積設備






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