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多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱(chēng)為“微電子大廈的基石”。

多晶硅，灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。目前，對(duì)硅材料中各種雜質(zhì)進(jìn)行檢測(cè)前通常采用酸溶法或堿熔法消解處理后才能進(jìn)行雜質(zhì)含量分析。在選用溶劑時(shí)一般要考慮被測(cè)元素能否迅速、*溶解。試樣處理過(guò)程中要考慮被測(cè)元素的揮發(fā)損失；被測(cè)元素是否會(huì)與其他被測(cè)組分生成不溶性物質(zhì)；過(guò)量溶劑可能對(duì)分析結(jié)果產(chǎn)生的干擾(如污染和干擾效應(yīng)等)；是否損傷容器。堿熔法基本使用氫氧化鈉溶解樣品，產(chǎn)物硅酸鈉易水解形成硅酸難以消除基體硅對(duì)測(cè)定的影響，而且在光譜、質(zhì)譜分析過(guò)程中容易堵塞炬管。

本文采用酸溶法溶解多晶硅樣品，探究一個(gè)適用于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上所售多晶硅樣品有效的消解體系和消解手段。研究了消解中水、氫氟酸和硝酸的用量，比較了超聲助消解、水浴加熱助消解和微波助消解對(duì)消解效果的影響。

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