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詳細(xì)摘要： 二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：2毫米電學(xué)性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, charge ...

詳細(xì)摘要： 三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,In...

詳細(xì)摘要： 三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細(xì)摘要： 三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細(xì)摘要： 三硫化鎳（磷摻雜）晶體（99.995%） NiPS3晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

詳細(xì)摘要： 硫磷化銅（銦摻雜）晶體（99.995%） CuInP2S6晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3...

詳細(xì)摘要： As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.

詳細(xì)摘要： Bismuth sulfide （Bi?S?） Developed at our facilities in the last five （5） years t...

詳細(xì)摘要： Bismuth Telluride Sulfide （Bi?Te?.?S?.?） is developed at our facilities.

詳細(xì)摘要： CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

詳細(xì)摘要： Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）S2 crystals perfectly crysta...

詳細(xì)摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

詳細(xì)摘要： Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

詳細(xì)摘要： Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichiometr...

詳細(xì)摘要： Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type dop...

詳細(xì)摘要： High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type do...

詳細(xì)摘要： 石墨烯紙（導(dǎo)電） Graphene Film-Super Paper直徑：40毫米厚度：20微米導(dǎo)電性：2x103s /米拉伸模數(shù)：10 GPa顏色：黑色高導(dǎo)熱...

詳細(xì)摘要： 石墨烯紙（非導(dǎo)電） Graphene Film-Super Paper直徑：40毫米厚度：20um電導(dǎo)率：非導(dǎo)電，8x10-2 S / M拉伸模數(shù)20 GPa顏...