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半導體工業的溫度控制解決方案

在現代，半導體是開發智能手機、計算機、電動汽車、可再生能源和人工智能等技術的基礎，將在未來承擔決定性的角色。

為了滿足對精度和效率的最高要求，溫度控制在半導體生產工藝中起著決定性的作用。LAUDA 可以為半導體工業提供一系列創新的溫度控制解決方案，幫助克服芯片制造中面臨的挑戰。

系列一：晶圓制造中的精準溫控

晶圓：半導體制造的核心

晶圓是現代電子技術的基礎。這些由高純度半導體材料（如，硅）制成的薄片，是制作微型芯片的基礎。晶圓的質量和純度，決定了芯片的性能。

直拉單晶制造工藝（Czochralski，Cz法）

Czochralski 法（直拉法）是半導體工業中用于生長高純度單晶硅（或其他單晶材料）的核心工藝。該方法由波蘭科學家 Jan Czochralski 于 1916 年發明，通過晶體提拉從熔融材料中生長出單晶。

在直拉工藝中，籽晶軸會以每分鐘 0.5 - 2 mm 的可控速度向上拉伸，在提拉的過程中，由于溫度呈梯度下降，熔融硅會在 1410 - 1420 °C 時（低于硅的熔點），在相變界面凝固成固態硅。通過精確控制拉伸的速度和溫度，生長出的晶體可達到所需的直徑。整個拉伸過程需要恒定的溫度控制，可能需要長達三天的時間。

在此工藝中，水作為溫控介質，對生長爐進行冷卻，LAUDA 可以精確控制晶體生長中的冷卻速度，幫助客戶最大限度地減少晶體缺陷，提高硅錠質量。同時，LAUDA 循環冷水機的可靠性對整個工藝至關重要，我們的 TCU 組件在設計上即有較長的使用壽命，可以在更長的時間內連續不間斷運行。

晶圓研磨和拋光工藝

晶圓表面的不規則和損傷，會影響其導電性。通過研磨和拋光工藝，可以除去這些表面缺陷。

由于拋光過程會產生熱量，而溫度波動會影響晶圓的瑕疵去除率，因此必須保持研磨墊和晶圓的接觸界面的溫度恒定，這可以通過控制研磨輪的溫度來實現。

在晶圓研磨和拋光中，精密的溫度控制技術可以防止熱應力對晶圓造成損傷，確保材料屬性的一致。

外延工藝

外延是一種將新材料層添加到單晶襯底上的沉積過程。新的材料層必須和單晶襯底貼合。

沉積過程中的精準溫度控制，可以減少沉積層的缺陷，保持晶體結構。

LAUDA 二次回路系統可以提供精確沉積所需要的溫度控制工具。

更多半導體工藝的溫度控制

半導體制造是人類工業文明中精密程度最高的系統性工程之一，其工藝流程涉及數百道復雜工序。從硅晶圓制備、光刻顯影到薄膜沉積、離子注入，每個環節都需要在原子級別的精度上進行控制，其中溫度參數的調控堪稱整個制造過程的生命線。在接下來的系列文章中，我們將逐層揭開半導體制造的溫度密碼，解析精準溫控背后的工程智慧。