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RTP晶體,進口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關是適合高重復頻率激光應用的RTP電光Q開關和RTP電光調制器,它采用了美國fastpulse公司1147系列RTP晶體,兼具KD*P和LiNb03兩種晶體材料的優點，并具有*優勢無壓電效應產生，適合高重復頻率應用（zui大100KHz）。美國fastpulse公司RTP普克爾盒1147是高重復頻率光電調制器和Q開關的良好選擇,是*的RTP電光Q開關和RTP電光調制器。
RTP晶體,進口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關，有效光學波長范圍為350-4300nm. 400-1100nm波段的透過率在鍍增透膜后可達98.5％，目前我們標準的鍍膜是1064nm和700-900nm,其他波段的鍍膜也可根據用戶要求提供。
RTP普克爾盒和RTP電光Q開關的消光比在633nm時測得的數值是200：1，波長畸變小于1/8波長。RTP電光調制器在較寬的溫度范圍內表現出優異的熱穩定性，RTP電光Q開關電光系數在10-50攝氏度的范圍內受溫度影響很小。RTP電光調制器的激光損傷閾值大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對于激光脈沖的拾取/脈沖選通應用而言，對于脈寬小于100皮秒的激光脈沖，損傷閾值大約為10GW/cm2.
我們提供的RTP普克爾盒和RTP電光Q開關的工作電壓與相同孔徑的KD*P和BBO普克爾的電壓稍低。
RTP晶體,進口RTP普克爾盒,RTP光電Q開關參數
| 型號 | 1147-4 | 1147-6 | 1147-8 |
| 孔徑/直徑, mm | 3.5 | 5.5 | 7.5 |
| 半波延遲電壓,V @633nm @800nm @1064nm | 800 1100 1600 | 1200 1650 2400 | 1800 2475 3600 |
| 晶體材料 | RTP | ||
| 透過率 | >98％ 400-1064nm | ||
| 消光比(全孔徑) | >200:1@633nm | ||
| 上升時間, 皮秒 | <350 | ||
| 電容，pf | <5 | ||
| 峰值損傷閾值 | 850MW/cm2<10ns, 10GW/cm2.<100ps @400-1300nm | ||
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