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這款深能級瞬態譜儀DLTS是專業為檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態設計的深能級瞬態光譜儀器。
深能級瞬態譜儀Deep Level Transient Spectroscopy,可以給出與陷阱有關的密度,熱交叉選擇，能級,空間分布等。通過監測半導體結在不同溫度下的脈沖產生的電容、電流或電荷瞬變,可產生每個深度級別的光譜,每個深能級都有一個峰值。峰的高度與陷阱密度成正比，其符號允許區分少數和多數陷阱，并且溫度軸上的峰的位置導致確定熱發射和俘獲（活化能和橫截面）的基本參數。該方法的應用導致了新現象的發現，并為理解半導體器件的材料加工提供了*的工具。
深能級瞬態譜儀DLTS特點
監測半導體電學性能的有效而靈敏方法
監測大塊缺陷或界面缺陷
確定缺陷密度,活化能、熱截面、空間分布、俘獲率和發射率
適合樣品類型：P-N結,肖特基二極管,MOS結構,LEDs,FETs,半導體激光器,高阻和半絕緣材料
高靈敏度：探測大量本體缺陷密度<<109 atoms/cm3.
測量模式包括：C-V, C-T, I-V, I-T, DLTS, DDLTS, CCDLTS, DDLTS/CCDLTS, CTS, ITS, PICTS, QTS, Fast Pulse Interface, High Voltage Interface & Multiple Correlation.
模塊化設計，方便用戶植入新的功能
專有電容表提供3微秒響應時間，快速恢復過載和高抗泄漏電流。
自動抑制60dB電容
監測溫度掃描過程中樣品漏電
快速溫度掃描：100k@8分鐘
寬廣溫度范圍：10K~800K
一次溫度掃描中同時產生8個不同速率窗口的光譜
數字采集包括16位分辨率、1微秒采樣增量、5年時間跨度和對平均瞬變次數無限制。
實驗參數和過程控制
脈寬，脈沖幅值，脈沖周期和DC等
初始溫度，終溫度，溫度增量和掃描時間
數據采集速率和平均的循環數
存儲，繪圖，分析光譜
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