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這款混合異質結構分子束外延系統具有雙反應器,非常適合А3В5和А2В6異質結構生長應用,也可用于epi晶圓研發和試生產。
混合異質結構分子束外延系統是提供從А3В5-反應器到А2В6-反應器的超純超高壓基板傳輸，避免生長界面的不受控制的污染。
還可以配備V族和VI族元素的閥裂解單元以及所有必要的原位分析工具。
混合異質結構分子束外延系統優勢：
•“實驗室到工廠"的概念，允許開展從基礎研究到異質結構試生產的活動
•鋁（冷唇）專用滲出細胞，操作穩定，鎵（熱唇）提供低橢圓形缺陷密度
•在系統基本配置中對生長過程進行現場監測的所有必要工具
•特別設計的生長操縱器，提供高溫均勻性和加熱/冷卻速率動態
•安裝期間的有效技術支持，包括基本工藝轉移
•簡單的系統操作和定期的技術維護
混合異質結構分子束外延系統參數：
| 烘烤后生長室的最終真空度，Torr | <5×10-11 |
| 最大基板直徑，mm | 100或3×2″block |
| 100mm晶圓的厚度和復合不均勻度，% | ±1 |
| “源到基片"距離，mm | 135÷210 |
| 滲出細胞百葉窗設計 | 基于磁耦合旋轉運動的無沖擊驅動旋轉機構 |
| 百葉窗葉片材料 | 鉭、鉬或PBN（可選） |
| 生長機械手加熱元件的設計 | PBN/PG/PBN |
| 生長操縱器的最高工藝溫度，不低于，℃ | 900 （NH3-MBE為1200） |
| 準備室中基板脫氣溫度，不低于，℃ | 650 （III氮化物為1100） |
| 生長室烘烤溫度，不低于，℃ | 200 |
| 離子泵容量，不小于，l/s： –生長室（III-N的TMP） –準備室 –負載鎖定 | 800 (2000) 500 300 |
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