首頁 >> 供求商機
這款III族氮化物分子束外延系統專業為A3N材料生長設計的MBE設備,適合氨氣高溫下制備生長A3N半導體材料,提供非常廣泛的可用生長參數（有效氮通量、襯底溫度、生長過程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系統設計在襯底上提供*的溫度（>1200℃）以及在長生長周期中加熱階段的可靠工作。利用氨作為活性氮源，可以生長出高質量、厚的AlN/AlGaN緩沖層。這項技術的結果是生長出位錯密度極低的活性層，為分子束外延（MBE）創造了記錄。
III族氮化物分子束外延系統系列有兩種（STE3N2）和三種（STE3N3）基本類型，配備有緩沖準備室。除了NH3注入器外，III族氮化物分子束外延系統還可能配備氮等離子體源（可選），用于生長InGaN、InAlN和InAlN的活性層藻類：MgIn與氨水混合。
III族氮化物分子束外延系統采用襯底支架和生長操縱器的加熱臺的patent設計，用于III氮化物生長的所有類型襯底（藍寶石、SiC、Si、AlN）提供了非常高的加熱均勻性。允許最大襯底直徑100mm,用于基礎和應用研發以及基于III型氮化物的高質量外延片的試生產。
III族氮化物分子束外延系統主要特點：
•特殊的先進設計和經批準的生長反應器，在NH3環境和jiduan基質溫度下提供關鍵系統組件的長期可靠運行
•超大液氮冷凍板，用于有效的氨氣泵送，在高NH3負荷下提供連續生長
•patent鋁源，特殊設計，延長使用壽命，在氨氣環境下提供超過2μm/h的AlN生長速率，無金屬蠕變
•能夠生長質量與在不匹配襯底上生長的MOCVD層相當的GaN外延層
•在系統基本配置中對生長過程進行現場監測的所有必要工具
•獲得patent的基板支架設計，在整個晶圓上提供高溫均勻性
•高溫生長操縱器，在不低于1200°С的生長溫度下提供高質量AlN層的連續生長
•在210-135 mm范圍內改變“源-基"距離的能力，以使用不同類型的電池和晶片OD優化均勻性
•STE3N2雙腔型緊湊型“封裝外形"
•安裝期間的有效技術支持，包括基本工藝轉移
•簡單的系統操作和定期的技術維護
III族氮化物分子束外延系統主要選項：
•準備室，帶有用于基板支架（7個）和脫氣臺的存儲盒，原子氫源專用端口
•額外的滲出細胞（5、15、25、35、60 cc的坩堝）
•附加PID調節器電源單元
•射頻等離子體氮源，帶有帶MFC的氮氣供應管線
•SiH4氣體噴射器和帶MFC的氣體供應管線
•Bayard-Alpert型束流監測器（BFM）
•在渦輪泵中提供額外的原子基底，以及分子泵制備
•帶電源裝置的鈦升華泵
•額外的基板支架，包括用于非標準尺寸樣品的適配器
•系統運行的起始材料（Ga、Al、In、NH3、N2、Si、Mg、鈦金屬化藍寶石晶片等）
•基于相分離器的液氮供應系統
•額外的備件和附件套件
III族氮化物分子束外延系統參數：
| 烘烤后生長室的最終真空度，Torr | <5×10-11 |
| 最大基板直徑，mm | 100 |
| 3″基板的厚度和成分不均勻度，% | ±1 |
| 生長機械手加熱元件的設計 | PBN/PG/PBN |
| 最大基板表面溫度，℃ | 1200 |
| 生長室壓力，Torr： –基板溫度為970°С，氨流量為400 sccm –基底溫度為1200°С，氨流量為100 sccm –基底溫度為500°С，氨流量為1000 sccm | <1×10-5 <5×10-6 <1×10-5 |
| 生長幾何學 | 可調，“源到基片"距離135-210 mm |
| 集成分析 | RHEED、BFM（可選）、RGA、激光干涉儀、紅外高溫計 |
| 制備室中基板退火的最高溫度，不低于，℃ | 1100 |
| 最大氨工作流量，sccm | 100 |
| 生長室的烘烤溫度，不低于，℃ | 200，無熱點形成 |
| 工藝過程自動化 | 操作員通過控制界面進行手動控制或通過配方執行工藝 |
9