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FIB-聚焦離子束蝕刻系統,UHV離子束刻蝕
  • FIB-聚焦離子束蝕刻系統,UHV離子束刻蝕
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貨物所在地:上海上海市

地: www.felles.cn/s

更新時間:2024-12-16 12:01:52

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這套聚焦離子束蝕刻系統是一種超高真空UHV條件多功能FIB系統,既可以配置為掃描電子顯微鏡SEM,也可以配置為結合SEM和高性能聚焦離子束FIB的雙束平臺。
這套聚焦離子束蝕刻系統是一種超高真空UHV條件多功能FIB系統,既可以配置為掃描電子顯微鏡SEM,也可以配置為結合SEM和高性能聚焦離子束FIB的雙束平臺。

這套聚焦離子束蝕刻系統采用模塊化結構,允許大量選擇符合終端用戶特定需求和目標的SEM和FIB柱。為要求無污染環境的樣品提供最佳、完整和定制的FIB納米加工、表面分析解決方案。

聚焦離子束蝕刻系統特點

全高真空設計-無污染:是第一臺超高壓設計的FIB-SEM儀器

*可定制的系統-超高壓納米空間可以定制,以便*特定需求。

在選擇時給予了*的靈活性-FIB柱、SEM柱、注氣系統和其他附加配件,視要求而定

高質量設計-*的條件和*的雙光束幾何允許

原位掃描電鏡與優質二次鋼的相關性

單個儀器中的離子質譜圖像

高分辨率成像-納米空間可以集成靜電掃描電鏡或,既能產生高質量圖像的磁性掃描電鏡

準確的樣品控制-超高真空兼容6軸工作臺允許裝載樣品,長度和寬度小于或等于100 mm

全自動儀器-納米空間控制和成像軟件,符合人體工程學,易于使用。真空系統*關閉自動化,以確保安全,快速和方便的真空操作

特高壓連接-特高壓中間室的設計是為了確保與特高壓第三方*連接的儀表,系統、工藝集群或同步加速器束線

還可以配備超高壓兼容的氣體注入系統(GIS),用于局部金屬沉積和選擇性蝕刻。也可以通過超高壓中間室與第三方系統(如MBE集群、表面分析儀器)進行現場連接。這種連接性拓寬了納米空間的應用范圍。


聚焦離子束蝕刻系統

 Vacuum Performances

Main Chamber Vacuum

5.10-10 mbar


UHV Configuration

Maximum instrument bakeout

temperature is 120°C


Sample Main Chamber Introduction

30 min








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