硅晶圓片（通用耗材）

隨著半導體、微電子行業的發展，硅晶圓片（通用耗材）的用途越來越廣泛。比如半導體芯片領域、X射線晶體分析、磁控濺射樣品生長、原子力、紅外光譜測試分析、PVD/CVD鍍膜襯底等。我們提供各種不同直徑、厚度、電阻、級別和應用場景的硅片，請將您的參數要求發給我們，如有疑難，也請。

哪里可以快速買到硅片作為基片，當然是這里！我們主要為國內的科研院所、高校提供高品質的硅片襯底，高純拋光的硅基底也能夠提供。

選型指導：

產品舉例：

我們致力于為客戶提供全面的硅片（Silicon Wafer）解決方案，從測試級硅片（Test Wafer）到產品級硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、鍍鋁硅片、鍍銅硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆蓋50mm-300mm。

對于2D材料的研究，軟光刻硅片，直接放射性核電實驗，等離子體刻蝕硅片，以及微流控芯片平臺的建立，我們均有成功的經驗。

小常識：

將某一特定晶向的硅種子(種子,通常為一小的晶棒)棒插入熔融液態硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和種子相同晶向的晶柱就被生產出來。將晶柱切割成多個一定厚度的圓片片,通常稱呼的wafer就被制造出來了。初步切割出來的wafer表面，通常比較粗糙,無法用作晶圓生產，因而通常都在后續工藝中進行拋光，拋光片的名詞就由此而來。針對不同晶圓制造要求，通常需要向粗制晶圓內摻雜一些雜質，如P、B等，以改變其電阻值,因而就有了低阻、高阻、重摻等名詞。鍍膜片可以理解為外延片Epi，是針對特定要求的半導體裝置而制定的wafer,通常是在IC和特殊IC上使用，如絕緣體上Si(SOI)等。

用Czochralski(CZ)晶體生長法或浮區（floatzone）（FZ）生長法生成單晶硅。超大規模集成電路應用更多采用Czochmlski硅，因為它比FZ材料有更多的耐熱應力能力，而且它能提供一種內部吸雜的機械裝置，該裝置能從硅片表面上的器件結構中去除不需要的雜質。因為是在不與任何容器或坩堝接觸的情況下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的純度（從而有更高的電阻率）。器件和電路所需的高純起始材料（如高壓，高功率器件）一般都用FZ硅。

我們的低應力PECVD氮化是一個單面膜，已優化為晶圓需要小的熱處理。因為低應力PECVD氮化物是在低溫下沉積的，它提供了更大的靈活性，可以沉積在任何其他薄膜上。

我們提供獨立式超薄超平硅片，厚度從5µm到100µm不等，直徑從5毫米到6英寸。薄硅片是真正的鏡面光潔度DSP，良好的表面平整度，無霧，無空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1µm。

我們的單晶太陽能硅片的效率高達19.5%。什么是太陽能效率，陽光光子擊中太陽能晶片在一個特定的空間的百分比。更高的效率意味著發電所需的比表面積更小。因此，小型屋頂將希望使用更高的效率面板，以彌補較小的表面積。