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GaAs晶體基片
  • GaAs晶體基片
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貨物所在地:安徽合肥市

更新時間:2025-07-19 21:00:05

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砷化鎵(GaAs)晶體基片

產品名稱:

砷化鎵(GaAs)晶體基片

技術參數:

 單晶

 砷化鎵(GaAs)

 摻雜

 NoneSiCrTeZn

 導電類型

 SINSiNP

 載流子濃度cm-3

 /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

 位錯密度cm-2

 <5x105

 生長方法及zui大尺寸

 LEC & HB ?3"


產品規格:

常規晶向:<100><110><111>

晶向公差:±0.05°

常規尺寸:5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況:細磨、單拋、雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A


注:可按照客戶要求加工尺寸和晶向


標準包裝:

1000級超凈室100級超凈袋真空封裝或單片盒裝

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