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四探針電阻率測定儀選型資料

2014-5-26  閱讀(790)

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四探針電阻率測定儀  貨號:ZH221 
嚴(yán)格按照硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84)及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計制造,并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進(jìn)
是用來測量半導(dǎo)體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率,以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份(簡稱:主機(jī))、測試架及四探針頭組成。
本儀器的特點是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測量電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測程的電流變化,免除了測量電流/測量電阻率的轉(zhuǎn)換,及時掌控測量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān),在測量某些箔層材料時,可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生,好地保護(hù)箔膜。儀器配置了本公司的產(chǎn)品:“小游移四探針頭”,探針游移率在0.1~0.2%。了儀器測量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)如加配HQ-710E數(shù)據(jù)處理器,測量硅片時可自動進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正,并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習(xí)庋。給測量帶來很大方便。
主機(jī)能數(shù)
測量范圍:
可測電阻率:0.0001~19.9999cm
可測方塊電阻:0.0001~1000Ωcm
恒流源:
輸出電流:DC 0.001~100mA 五檔連續(xù)可調(diào)
量程:0.001~0.01mA
0.01~0.10mA
0.10~1.0mA
1.0~10mA
10~100mA
恒流精度:檔均低于±0.05%
直流數(shù)字電壓表:
測量范圍:0~19.999mV
靈敏度:1μV
基本誤差:±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
輸出電源:≥1000ΩM
供電電源:
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率:12W
使用環(huán)境:
溫度:23±2℃ 相對濕度:≤65%
較強(qiáng)的電場干擾,強(qiáng)光直接照射
重量、體積:
主機(jī)重量:7.5kg
體積:365×380×160(單位:mm 長度×寬度×高度)

四探針頭
產(chǎn)品簡介
使用幾何尺寸的紅寶石軸套,確保探針間距的恒定、準(zhǔn)確。
控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μm,探針的小游移率。
采用的S型懸臂式彈簧,使每根探針都具有立、準(zhǔn)確的壓力。
量具精度的硬質(zhì)合金探針,在寶石導(dǎo)孔內(nèi)穩(wěn)定運動,持久耐磨。
用途
測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率,測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻。
測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
探針間距
直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
方形四探針…………… 1.00mm
直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
指標(biāo)
游移率   
       B…………… <0.5%
       A……………<0.3%
       AA………… <0.2%
       AAA…………<0.1%
間距偏差  
        B…………… <3%
        A…………… <2%
        AA…………  <2%
        AAA………… <1%
zui大針與導(dǎo)孔間隙:0.006mm
探針材料:硬質(zhì)合金(主成份:進(jìn)口碳化鎢)或高速鋼
探針壓力  標(biāo)準(zhǔn)壓力:6—10N(4根針總壓力)
          小壓力:1.2—5N(4根針總壓力)     
          1牛頓(N)=101.97克
針尖壓痕直徑:25—100μm、100—250μm(簿層)
500V緣電阻:>1000MΩ 

四探針手動測試架
產(chǎn)品簡介 
支架尺寸:
豎測高度:500mm
臺面:200×300mm/240×380mm
特點:
主于測棒、塊。
注:其它尺寸可按要求訂做

四探針手動測試架  
產(chǎn)品簡介 
支架尺寸:
豎測高度:120mm
臺面:200×300mm
特點:
主于測片。

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