半導體器件和電路制造技術飛速發展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機理的分析帶來巨大的挑戰。對于半導體失效分析（FA）而言，微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是一種相當有用且效率高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力，可偵測到半導體組件中電子－電洞對再結合時所發射出來的光線，能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm 左右。它可以廣泛的應用于偵測IC 中各種組件缺陷所產生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。
EMMI的工作原理圖如下：
由于加速載流子發光，即在局部的強場作用下產生的高速載流子與晶格原子發生碰撞離化，發射出光子，通常其光譜在可見光范圍內有一個寬的分布（ 650-1050 nm ），采用深度制冷的CCD相機可以拍攝到此現象。
先鋒科技公司代理的英國安道爾公司深度制冷CCD相機，5年的真空封閉質保期，免除了您對于售后造成的困擾，同時相機在近紅外區域具有好的信噪比，針對EMMI的應用，主要推薦CCD相機如下：
型號 | Clara | iKon M 934 BRDD |
生產廠家 | 英國Andor公司 | 英國Andor公司 |
分辨率 | 1392*1040 | 1024*1024 |
zui低制冷溫度 | 零下45度 | 零下80度 |
像素尺寸 | 6.45um*6.45um | 13um*13um |
900nm量子效率 | 10% | 65% |
計算機接口 | USB2.0 | USB2.0 |
zui高幀速 | 11fps | 2fps |
是否含有EM增益 | 否 | 否 |
產品優勢及建議應用 | 具有軟件可選近紅外增強模式，很低的制冷溫度，適用于離線電致/光致熒光檢測 | 背感光芯片，具有zui高的量子效率及zui低的制冷溫度，是離線電致/光致熒光檢測的研究級產品 |
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