深能級瞬態譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段！測試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關聯模式）、光激發模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態譜、Trapprofiling、俘獲截面測量、I/V,I/V(T)、C/V,C/V(T)、TSC/TSCAP、光子誘導瞬態譜、DLOS。
測試根據半導體P-N結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C~t）技術和深能級瞬態譜的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。
也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。
深能級瞬態譜儀功能特色：
1、測試功能多樣。
2、測試溫度范圍大。
3、包括傅里葉轉換，Laplace轉換和多指數擬合等技術。
4、具有較高的能量分辨率。
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