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XEIA3掃描電鏡集非凡的超高分辨成像能力和優(yōu)異的微細(xì)加工于一體。強(qiáng)大且超快速的微/納米 FIB 加工、低能電子束下的超高分辨率（UHR）、超快且可靠的微量分析和三維重構(gòu)功能，使得 XEIA3 成為一款理想易用的 FIB-SEM 系統(tǒng)。隨著 XEIA3 的問世，TESCAN 不僅躋身儀器供應(yīng)商之列，還履行了其致力于繼續(xù)幫助科研人員推動(dòng)科學(xué)研究與進(jìn)展的承諾。TESCAN 的定制化系統(tǒng)能滿足各類客戶的具體需求。從材料科學(xué)到生命科學(xué)，從材料工程到半導(dǎo)體行業(yè)，TESCAN 的設(shè)備一直都表現(xiàn)出的高性能。

XEIA3掃描電鏡

突出特點(diǎn)

Triglav™ -新型超高分辨率 ( UHR ) 電子光學(xué)鏡筒

• TriLens™物鏡系統(tǒng)：電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合
• 具有多個(gè) SE 及 BSE 探測器的探測系統(tǒng)
  • TriSE™+ TriBE™
• Triglav™ - 低加速電壓下的超高分辨率:1 nm (1 kV ), 0.7 nm (15 kV )
• EquiPower™ 進(jìn)一步提高電子束的穩(wěn)定性
• 電子束流高達(dá) 400nA，并能實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變
• 優(yōu)化的鏡筒幾何設(shè)計(jì)大可容納 8” 晶圓

極其強(qiáng)大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒

高電子回旋共振（High-ECR）產(chǎn)生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒，可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領(lǐng)域不能完成的任務(wù)

• 濺射速率比 Ga 液態(tài)金屬離子源快 50 倍
• 離子束流范圍：1 pA ~ 2 µA；分辨率：＜25 nm
• 新研發(fā)的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒（選配），分辨率優(yōu)于< 15 nm，進(jìn)一步增強(qiáng)刻蝕能力
• 大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍，在無氣體輔助增強(qiáng)的條件下也可實(shí)現(xiàn)超快濺射
• 相較于 Ga 液態(tài)金屬離子源，離子注入效應(yīng)顯著減少
• Xe 惰性氣體原子不會(huì)改變圖樣區(qū)域附近的電學(xué)性能
• 銑削過程中無金屬間化合物形成