TC設(shè)備-溫度沖擊試驗箱概述

1.近年來隨著我國半導(dǎo)體制造業(yè)的不斷壯大，對IC芯片的制備工藝及品質(zhì)要求更加精密，同步配套的TC設(shè)備逐漸國產(chǎn)化，在此機會下，東莞中科測試設(shè)備有限公司研制出與100萬級無塵車間制備工藝匹配的可靠性試驗設(shè)備（溫度沖擊試驗箱）。

2.溫度沖擊試驗箱應(yīng)用模擬*溫和極低溫的氣候環(huán)境對半導(dǎo)體元器件進(jìn)行冷熱交替膨脹和收縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害，使其產(chǎn)生熱應(yīng)力及應(yīng)變。主要應(yīng)用在IC封裝抗溫度沖擊測試，避免芯片在使用過程中受到環(huán)境應(yīng)力的考驗時而導(dǎo)致失效，對于提高出貨良率與制備工藝有顯著效果。

3.控制系統(tǒng)：中英文菜單式人機對話操作方式，有開機自檢功能、溫度線性校正、自動停機、系統(tǒng)預(yù)約定時啟動功能；實現(xiàn)工業(yè)自動化，帶數(shù)據(jù)交互功能，能與客戶主機鏈接實現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控，了解設(shè)備與試驗運行狀態(tài)，可以通過任何移動終端監(jiān)控。 

TC設(shè)備-溫度沖擊試驗箱技術(shù)新能

1.溫度沖擊范圍：-40℃～+150℃；-55℃～+150℃；-65℃～+150℃。（高溫可定制：+250℃）

2.高低溫區(qū)溫度范圍：

A.高溫蓄能區(qū)：室溫～+155℃。（定制性：室溫～+215℃）

B.低溫蓄能區(qū)：室溫～-55℃；室溫～-70℃；室溫～-80℃。

3.測試區(qū)溫度范圍：

A.高溫沖擊溫度范圍：+50℃～+150℃。（定制型：+50℃～+200℃）

B.低溫沖擊溫度范圍：-10℃～-40℃；-10℃～-55℃；-10℃～-65℃。

C.溫度波動度：±0.5℃。

D.溫度均勻度：±2.0℃。

4.高低溫測試區(qū)溫度恢復(fù)和轉(zhuǎn)換時間：≤5分鐘。（可定制溫變速率為：10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，線性與非線性溫變）

5.試驗測試溫度范圍：-40℃～+85℃；-40℃～+120℃；-55℃～+125℃。（可根據(jù)試驗要求選擇溫度范圍）

6.試驗測試方式：高低溫沖擊試驗、冷熱沖擊試驗、高低溫恒定試驗、高低溫交變沖擊試驗。

7.試品重量：8 KG（可訂制其他規(guī)格）。

8.使用電源：AC3∮5W 380V±10% ；50HZ。

9.重量約：480KG。

10.在無試驗負(fù)荷、無層架情況下穩(wěn)定20分鐘后測定的性能。

11.溫度均勻度定義為：實驗機幾何中心點處（計量單位空間9點測溫法）。

12.設(shè)備制造標(biāo)準(zhǔn)：GB/T10586-2006，GB/T10592-1989。

13.設(shè)備檢定標(biāo)準(zhǔn)：GB/T5170.2-1996，GB/T5170.5-1996。

14.設(shè)備的型號和規(guī)格選擇如下：

 型 號          內(nèi)箱尺寸（mm）        外箱尺寸（mm）

ZK-TS -80L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-120L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-150L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-225L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-408L       W600×H850×D800      W900×H1980×D1550

ZK-TS-800L       W800×H1000×D1000     W1100×H2150×D1650

ZK-TS-1000L      W1000×H1000×D1000    W1300×H2150×D1650

可按需求尺寸非標(biāo)定制......

溫度沖擊試驗箱測試執(zhí)行與滿足標(biāo)準(zhǔn)

1.GB/T2423.1-2001低溫試驗方法。

2.QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗一般規(guī)則。

3.滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC68-2-14_試驗方法N_溫度變化。

4.SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗箱——二箱式。

5.SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗箱——一箱式。

6.GB/T2423.2-2001；GB/T2423.22-1989溫度變化試驗N。

7.GJB150.3-86；GJB150.4-86；GJB150.5-86溫度沖擊試驗。

8.GJB360.7-87溫度沖擊試驗；GJB367.2-87 405溫度沖擊試驗。

9.EIA 364-32熱沖擊（溫度循環(huán)）測試程序的電連接器和插座的環(huán)境影響評估。

10.GB/T 2424.13-2002試驗方法溫度變化試驗導(dǎo)則；GB/T 2423.22-2002溫度變化。