MAA/PEG/BSA修飾ZnO量子點

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MAA/PEG/BSA修飾ZnO量子點

ZnO 作為II-VI族半導體材料，具有電子親和勢和遷移率、激子束縛能大等特點，在熱、光、電和磁等方面表現出的性能，并被應用于能源、光電子和化工等諸多領域。ZnO量子點較的比表面積和比表面能所引起的團聚現象，程度上限制了量子點的性質，所以采用表面修飾的方法來改變ZnO 量子點的團聚現象及其尺寸穩定性。

制備方法：采用溶膠－凝膠工藝方法制備ZnO量子點。先，向濃度為0. 1mol/L的Zn(Ac)2·2H2O甲醇溶液（125 mL)中逐滴加入濃度為0. 4 mol/L的KOH甲醇溶液（65mL),升溫至60℃后持續反應并攪拌3. 5h,得到渾濁液體。隨后經靜置、離心、洗滌等重復操作，得到純凈的ZnO量子點。分別將獲得的ZnO量子點一部分溶于氯仿／甲醇（9:1)混合溶劑中制成濃度為50mg/mL的ZnO量子點溶膠，另一部分干燥成純白色ZnO粉末用于后續樣品測試。為了獲得表面修飾的ZnO量子點，制備過程中將不同添加量的PEG加入到Zn(Ac)2-2H2O甲醇溶液中，在60℃下攪拌1h,之后步驟與上述方法相同。

結論：PEG能夠涂覆在ZnO量子點表面對其修飾，且不影響ZnO本身的晶體成分和結構。PEG修飾后的ZnO量子點在400~500nm波長區域的缺陷態發射度減小，且修飾后的ZnO量子點團聚現象得到，分散加均勻，粒徑尺寸小。PEG修飾后的ZnO量子點紫外－可見吸收閾值變化較小，光學穩定性提。

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