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穿透式電子顯微鏡簡介:1930年*臺商用電子顯微鏡于英國建立
閱讀：1801 發布時間：2012-5-21
穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy：TEM）
A.TEM簡介
自1930年代*臺商用電子顯微鏡于英國建立以來，由于影像解析度受限于所供輸電子能量，隨著高壓設備之成熟技術發展與建立，穿透式電子顯微鏡不斷地進步與突破。1938年，穿透式電子顯微鏡，解析度約20~30埃，到1963年，解析度提升至2~3埃；到目前為止，一百萬電子伏特（eV）以上之超高電壓穿透式電子顯微鏡也已問世（HRTEM）。
因此原子級的影像解析度早已不再是遙不可及之夢想。 對于近十年來迅速發展的半導體制程，以及奈米尺度的*材料，材料的研究已進入原子尺度大小，為了觀察如此微小的尺度，新的研究工具也陸續出現。在這些新的研究工具當中，穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy；TEM ）可提供材料內部的形態、晶體原子結構…由于TEM具備高解像能力，比一般影像觀察及分析工具*許多，而廣泛地用于材料分析。表一為比較常用顯微鏡的解析度與放大倍率。
附注：解析度與波長的關系式
Raleigh‘s Criterion：解析度 S＝0.61l/（n×sinq）＝0.61l/NA
出自金相顯微鏡百科：http://www.xianweijing.org