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行業(yè)產(chǎn)品

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[供應(yīng)]電介質(zhì)充放電測試/儲能材料高電壓放電性能
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  • 電介質(zhì)充放電測試/儲能材料高電壓放電性能
貨物所在地:
北京北京市
更新時間:
2025-07-04 14:19:20
有效期:
2025年7月4日 -- 2026年7月6日
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產(chǎn)品簡介

華測 電介質(zhì)充放電測試儀器主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。采用特殊高壓開關(guān),通過單刀雙擲控制充電和放電過程,開關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動作時間短。

詳細(xì)介紹



華測 電介質(zhì)充放電測試儀器

Huace-DCS10KV


華測 華測 電介質(zhì)充放電測試儀器產(chǎn)品介紹:

Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測試時,樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實際釋放的能量密度,無法正確評估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計開發(fā),更符合電介質(zhì)充放電原理。


主要參數(shù):

1、電流探頭帶寬:120MHz

2、峰值電流:0-100A150 A(多種電流可監(jiān)測);

3、電流采集精度:1mA

4、高壓源模塊:3KV5KV10kV15KV多可選(電流:0-5mA);

5、開關(guān)適用:100萬次,耐壓15kV

6、溫控范圍:0-200℃;

7、溫度穩(wěn)定性和精度:0.1℃;

8、測試樣品:薄膜,厚膜,陶瓷,玻璃等;

9、可以配合各種極化設(shè)備進(jìn)行多種壓電材料和介電材料的測試。


產(chǎn)品優(yōu)勢

1、本系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān),通過單刀雙擲控制充電和放電過程,開關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動作時間短;

2、電壓10kV,電流5mA

3、可外接高壓放大器或高壓直流電源;

4、通過電流探頭檢測放電電流,可達(dá)100A

5、可以實現(xiàn)欠阻尼和過阻尼兩種測試模式,欠阻尼測試時,放電回路短路,不使用電阻負(fù)載,過阻尼測試時,使用較大的高精度無感電阻作為放電負(fù)載;

6、可以作為一個信號源,產(chǎn)生任意波形;

7、通過示波器采集數(shù)據(jù),并能直接計算儲能密度;

8、定制載樣平臺,可適用于陶瓷和薄膜樣品測試;

9、可以進(jìn)行變溫測試,RT~200℃;

10、可以進(jìn)行疲勞測試;

11、還可用于極化材料之用。


儲能電介電放電行為:

華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計的電容放電電路來測量。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載。在放電過程中電壓對樣品的時間依賴性可以通過檢波器進(jìn)行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度,可通過改變負(fù)載電阻器的電阻來調(diào)節(jié)。通常測試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中,用戶需要選擇電阻器或幾個電阻器的組合獲得得所需的電阻,并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質(zhì)材料。在該電路中,選擇高壓MOSFET開關(guān)以釋放儲存的能量非常重要。該開關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓。本套測試系統(tǒng)由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計算機(jī)構(gòu)成。在測試中,測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度,測試樣品上的電壓可以由計算機(jī)自動獲得。




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