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Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE
  • Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE
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貨物所在地:上海上海市

更新時間:2024-08-19 09:18:13

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Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE
FilmTek™ 6000標準桿數-SE先進的多模薄膜計量系統在1x nm設計節點和更高的位置為廣泛的薄膜層提供生產驗證的薄膜厚度、折射率和應力測量監測。該系統能夠在新一代集成電路的生產過程中實現更嚴格的過程控制,提高器件產量,并支持下一代節點技術的開發。

Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE

——用于IC器件開發和制造的先進多模薄膜計量學


FilmTek™ 6000標準桿數-SE先進的多模薄膜計量系統在1x nm設計節點和更高的位置為廣泛的薄膜層提供生產驗證的薄膜厚度、折射率和應力測量監測。該系統能夠在新一代集成電路的生產過程中實現更嚴格的過程控制,提高器件產量,并支持下一代節點技術的開發。


制造1x nm的先進IC器件需要使用高度均勻的復合膜。能夠監測非常薄的薄膜的計量工具,通常在多層膜堆疊中(例如,高k和氧化物-氮化物-氧化物膜),使制造商能夠保持對膜構建過程的嚴格控制。此外,一些工藝,如多重圖案化,會導致薄膜厚度的梯度,必須對其進行監控,以獲得佳器件性能(例如,注入損傷和低k薄膜)。不幸的是,現有的計量工具依賴于傳統的橢偏測量或反射測量技術,其檢測這些應用的薄膜梯度變化的能力有限。


為了克服這些挑戰,FilmTek 6000標準桿數-SE將光譜橢圓偏振儀和DUV多角度極化反射儀與寬光譜范圍相結合,以滿足與多圖案和其他前沿器件制造技術相關的需求。該系統采用我們多角度差分偏振(MADP)和差分功率譜密度(DPSD)技術,可獨立測量薄膜厚度和折射率,顯著提高其對薄膜變化的靈敏度,尤其是多層堆疊中的變化。這種組合方法對于用于復雜器件結構的超薄和厚膜疊層都是理想的。


Bruker橢偏儀 FilmTek 6000 PAR-SE

技術規格


膜厚范圍0 ? to 150 µm
膜厚精度±1.0至NIST可追溯標準氧化物100至兩個1µm
光譜范圍190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的測量50 µm
樣本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光譜分辨率0.3 nm - 2nm
光源調節氘鹵素燈(壽命2000小時)
探測器類型2048像素索尼線陣CCD/512像素冷卻濱松InGaAs CCD陣列(NIR)
電腦帶Windows的多核處理器™ 10操作系統
測量時間每個場地約2秒(如氧化膜)

性能規格


Film(s)  測量參數精確 ()
氧化物/硅0 - 1000 ?t0.03 ?
1000 - 500,000 ?         t0.005%
1000 ?t , n0.2 ? / 0.0001
15,000 ?t , n0.5 ? / 0.0001
150.000 ?t , n1.5 ? / 0.00001
氮化物/硅200 - 10,000 ?t0.02%
500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0005
光致抗蝕劑/硅200 - 10,000 ?t0.02%
500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物/硅200 - 10,000 ?t Poly , t Oxide        0.2 ? / 0.1 ?
500 - 10,000 ?t Poly , t Oxide0.2 ? / 0.0005



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