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| 參考價(jià) | ￥50000-￥100000 | /件 |
參考價(jià)：￥50000 ~ ￥100000
更新時(shí)間：2025-03-18 14:08:09瀏覽次數(shù)：1296評價(jià)
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| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,航空航天,汽車及零部件,電氣 |
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UV 400的前身TR 2100是*采用集成反射計(jì)(2001年)的高溫計(jì)，為使用光纖鏡頭和950 nm激光實(shí)時(shí)測量發(fā)射率建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)寶石光管傳感器和實(shí)時(shí)的黑體校準(zhǔn)源取得的研究進(jìn)展提供了完整的溫度測量解決方案。
UV 400和UVR 400系統(tǒng)是專門為GaN基MOCVD外延工藝開發(fā)的下一代溫度傳感器。這些傳感器可以直接測量晶圓表面溫度，而非傳統(tǒng)的基座溫度。UVR 400較UV 400 增加了一個635 nm，0.5 kHz測量速度的反射率測量儀，可測量沉積厚度.
這些系統(tǒng)正在為 LED 生產(chǎn)過程設(shè)定一個新的標(biāo)準(zhǔn)，其結(jié)果顯示工藝溫度和終產(chǎn)品波長之間存在可靠的相關(guān)性.這種直接測量的方法可以更精確地控制晶片溫度，從而提高成品率
使用紫外波段直接測量GaN層溫度；
使用脈沖光源實(shí)時(shí)快速測量發(fā)射率；
使用真正的光計(jì)數(shù)儀器將測量中的噪聲降至低；
防止由于延遲采樣（無快門打開和關(guān)閉）而造成的數(shù)據(jù)偏差
測溫范圍：650 至 1300℃
重復(fù)精度 0.01 °C (see TN-828)
GaN 基 MOCVD 外延工藝
| 測量參數(shù) | |
溫度范圍: | 650 至 1300°C |
子溫度區(qū)間: | 溫度范圍內(nèi)任意可調(diào)，小跨度 51°C |
響應(yīng)波長: | 383 至 410 nm |
探測器: | 光電倍增管, 暗計(jì)數(shù)范圍小于原始值的 1% @ 650°C |
兩次測量之間的等待時(shí)間: | 少于 1 μs |
分辨率: | 軟件顯示0.1℃； |
發(fā)射率 ε: | 0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001 |
透射率 τ: | 0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001 |
積分時(shí)間; | 少8ms |
測量不確定度: | 小于 1000°C, 3°C; |
| 重復(fù)性: (ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C) | 0.1% 或 0.1°C |
| 電參數(shù) | |
| 功耗: | 大5W |
| 負(fù)載（模擬輸出）: | 0 至 500 ? |
| 隔離: | 電源，模擬輸出，數(shù)字接口彼此隔離 |
| 環(huán)境參數(shù) | |
| 防護(hù)等級: | IP 40 IEC 60529 |
| 真空和氣體: | 設(shè)備可承受氮?dú)夂驼婵眨ǖ陀?0 mbar），外殼有氣孔 |
| 安裝位置: | 任意 |
| 環(huán)境溫度: | 10 至 38 °C |
| 存儲溫度: | -20 至 50 °C |
| 相對濕度: | 非凝露 |
| 重量: | 2.5 kg |
| 外殼: | 發(fā)黑氧化鋁 |
| CE 認(rèn)證: | 根據(jù)歐盟有關(guān)電磁抗擾度的指令 |
| 接口 | |
模擬輸出: | 0 到 20 mA 或 4 到 20 mA, 線性 |
| 數(shù)字輸出: | RS485可尋址（半雙工） 波特率：1200 至 38400 |
| 大值存儲: | 內(nèi)置單存儲器或雙存儲器 tclear 可調(diào)(off; 0.01 s; 0.05 s; 0.25 s; 1 s; 5 s; 25 s), |
| 反射率測試（僅 UVR400） | |
| 測試范圍: | 0 至 100% |
| 速率: | 1000 Hz |
| 光源: | 激光二極管 |
| 測量波長 | 635 nm ±5 nm |
| 測量不確定度: | 測量范圍的 2% |
| 重復(fù)精度: | 測量范圍的 5% |
| 晶圓片允許傾斜公差: | 0.3° |
| 鏡頭工作距離 a: | 100mm |
| 模擬輸出: | 0到20 mA 或 4到20 mA ;可切換 |
| 負(fù)載: | 0 到 500 Ohm |
UV400 GaN基外延片測溫儀
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