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半導體的特性

閱讀:950        發(fā)布時間:2017-2-18

半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上,半導體與導體、絕緣體的區(qū)別在不僅在于導電能力的不同,更重要的是半導體具有*的性能(特性)。 

1. 在純凈的半導體中適當?shù)負饺胍欢ǚN類的極微量的雜質(zhì),半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體zui顯著、zui突出的特性。例如,晶體管就是利用這種特性制成的。 

2. 當環(huán)境溫度升高一些時,半導體的導電能力就顯著地增加;當環(huán)境溫度下降一些時,半導體的導電能力就顯著地下降。這種特性稱為“熱敏”,熱敏電阻就是利用半導體的這種特性制成的。 

3. 當有光線照射在某些半導體時,這些半導體就像導體一樣,導電能力很強;當沒有光線照射時,這些半導體就像絕緣體一樣不導電,這種特性稱為“光敏”。例如,用作自動化控制用的“光電二極管”、“光電三極管”和光敏電阻等,就是利用半導體的光敏特性制成的。 

由此可見,溫度和光照對晶體管的影響很大。因此,晶體管不能放在高溫和強烈的光照環(huán)境中。在晶體管表面涂上一層黑漆也是為了防止光照對它的影響。zui后,明確一個基本概驗:所謂半導體材料,是一種晶體結(jié)構(gòu)的材料,故“半導體”又叫“晶體”。

P性半導體和N型半導體----前面講過,在純凈的半導體中加入一定類型的微量雜質(zhì),能使半導體的導電能力成百萬倍的增加。加入了雜質(zhì)的半導體可以分為兩種類型:一種雜質(zhì)加到半導體中去后,在半導體中會產(chǎn)生大量的帶負電荷的自由電子,這種半導體叫做“N型半導體”(也叫“電子型半導體”);另一種雜質(zhì)加到半導體中后,會產(chǎn)生大量帶正電荷的“空穴”,這種半導體叫“P型半導體”(也叫“空穴型半導體”)。例如,在純凈的半導體鍺中,加入微量的雜質(zhì)銻,就能形成N型半導體。同樣,如果在純凈的鍺中,加入微量的雜質(zhì)銦,就形成P型半導體。 

一個PN結(jié)構(gòu)成晶體二極管----設(shè)法把P型半導體(有大量的帶正電荷的空穴)和N型半導體(有大量的帶負電荷的自由電子)結(jié)合在一起,見圖1所示。
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圖1

在P型半導體的N型半導體相結(jié)合的地方,就會形成一個特殊的薄層,這個特殊的薄層就叫“PN結(jié)”。晶體二極管實際上就是由一個PN結(jié)構(gòu)成的(見圖1)。 

例如,收音機中應用的晶體二極管,其觸絲(即觸針)部分相當于P型半導體,N型鍺片就是N型半導體,他們之間的接觸面就是PN結(jié)。P端(或P端引出線)叫晶體二極管的正端(也稱正極)。N端(或N端引出線)叫晶體二極管的負端(也稱負極)。 

如果像圖2那樣,把正端連接電池的正極,把負端接電池的負極,這是PN結(jié)的電阻值就小到只有幾百歐姆了。因此,通過PN結(jié)的電流(I=U/R)就很大。這樣的連接方法(圖2a)叫“正向連接”。正向連接時,晶體管二極管(或PN結(jié))兩端承受的電壓叫“正向電壓”;處在正向電壓下,二極管(或PN結(jié))的電阻叫“正向電阻”,在正向電壓下,通過二極管(或PN結(jié))的電流叫“正向電流”。很明顯,因為晶體二極管的正向電阻很小(幾百歐姆),在一定正向電壓下,正向電流(I=U/R)就會很大----這表明在正向電壓下,二極管(或PN結(jié))具有像導體一樣的導電本領(lǐng)。
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圖2a 圖2b

反過來,如果把P端接到電池的負極,N端接到電池的正極(見圖2b)。這時PN結(jié)的電阻很大(大到幾百千毆),電流(I=U/R)幾乎不能通過二極管,或者說通過的電流很微弱。這樣的連接方法叫“反向連接”。反向連接時,晶體管二極管(或PN結(jié))兩端承受的電壓叫“反向電壓”;處在反向電壓下,二極管(或PN結(jié))的電阻叫“反向電阻”,在反向電壓下,通過二極管(或PN結(jié))的電流叫“反向電流”。顯然,因為晶體二極管的正向電阻很大(幾百千歐姆),在一定的反向電壓下,正向電流(I=U/R)就會很小,甚至可以忽略不計,----這表明在一定的反向電壓下,二極管(或PN結(jié))幾乎不導電。 

上敘實驗說明這樣一個結(jié)論:晶體二極管(或PN結(jié))具有單向?qū)щ娞匦浴?nbsp;

晶體二極管用字母“D”代表,在電路中常用圖3的符號表示,即表示電流(正電荷)只能順著箭頭方向流動,而不能逆著箭頭方向流動。圖3是常用的晶體二極管的外形及符號。
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圖3

利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢杂脕碚鳎▽⒔涣麟娮兂芍绷麟姡┖蜋z波(從高頻或中頻電信號取出音頻信號)以及變頻(如把高頻變成固定的中頻465千周)等。 

PN結(jié)的極間電容----PN結(jié)的P型和N型兩快半導體之間構(gòu)成一個電容量很小的電容,叫做“極間電容”(如圖4所示)。由于電容抗隨頻率的增高而減小。所以,PN結(jié)工作于高頻時,高頻信號容易被極間電容或反饋而影響PN結(jié)的工作。但在直流或低頻下工作時,極間電容對直流和低頻的阻抗很大,故一般不會影響PN結(jié)的工作性能。PN結(jié)的面積越大,極間電容量越大,影響也約大,這就是面接觸型二極管(如整流二極管)和低頻三極管不能用于高頻工作的原因。

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