三级片视频播放,精品三级片在线观看,A级性爱视频,欧美+日韩+国产+无码+小说,亲子伦XX XX熟女,秋霞最新午夜伦伦A片黑狐,韩国理伦片漂亮的保拇,一边吃奶一边做边爱完整版,欧美放荡性护士videos

| 注冊| 產品展廳| 收藏該商鋪

行業產品

當前位置:
江蘇新高科分析儀器有限公司>>技術文章>>一種低成本的硅垂直互連技術

一種低成本的硅垂直互連技術

閱讀:483        發布時間:2019-12-19

近年來,隨著三維疊層封裝技術和MEMS封裝技術的發展,硅垂直互連技術正在受到越來越多的重視 [1]。這一技術通過在硅片上制作出垂直電互連來實現芯片正面與背面或上下芯片之間的互連,從而縮短了互連線的長度并為芯片提供更為優異的電性能。其應用包括:臺面MOS功率器件的倒裝芯片封裝[2]、垂直集成傳感器陣列的制造 [3]、RF-MEMS器件的封裝[4]、高性能硅基板的開發 [5]和芯片的三維疊層封裝[6]。 

制作硅垂直互連的基本步驟為:利用激光熔融[2]、深層等離子體刻蝕[3-4,6] 、光輔助電化學刻蝕[5]或KOH刻蝕[7] 等方法之一,在硅片上制作通孔;然后再利用濺射、電鍍或化學鍍等方式在通孔上沉積金屬層,實現硅垂直電互連。 
雖然采用KOH濕法刻蝕工藝制作的硅通孔孔徑較大,縱深比較低;但對于具有低、中引出端數的三維封裝和高性能硅基板,其作為一種低刻蝕溫度、低制造成本且適合于批量生產的硅通孔制作工藝,能夠達到成本、性能化。 

銅由于具有較低的電阻率和工藝成本常被用于金屬化互連的導電層;但銅易腐蝕、易擴散且與介質層的結合強度較弱,使得銅布線暴露在大氣中或直接在其上淀積介質層時,都會影響到銅導電層的電性能和可靠性 [8-9]。因此,利用化學鍍工藝的自選擇沉積特性,直接在銅布線上沉積鎳基合金薄膜作為防止銅腐蝕和銅向其上層介質擴散的覆蓋層,比采用濺射工藝減少了后續的光刻且無需昂貴的真空設備,從而既保證了銅布線的性能,又降低了制造成本。圖1為硅片上垂直互連的銅布線示意圖。

收藏該商鋪

登錄 后再收藏

提示

您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復您~
二維碼 意見反饋
在線留言
主站蜘蛛池模板: 开阳县| 绵阳市| 红河县| 博客| 桂平市| 乐安县| 胶南市| 渝中区| 拜泉县| 当雄县| 拉萨市| 汉川市| 屏东县| 商城县| 积石山| 阳东县| 施秉县| 莆田市| 达州市| 房产| 松溪县| 敖汉旗| 庄浪县| 巫溪县| 江川县| 阳春市| 西华县| 同德县| 梁河县| 腾冲县| 乌什县| 浮梁县| 宜阳县| 金川县| 象州县| 竹溪县| 大姚县| 尉犁县| 油尖旺区| 井研县| 伊春市|