半導體等離子去膠機是利用等離子體技術去除半導體制造過程中光刻膠的專用設備。其核心原理是通過等離子體中的高能粒子與光刻膠發生物理或化學作用，實現高效、精準的膠層去除。
一、半導體等離子去膠機產品原理：
1.等離子體生成機制
氣體輝光放電：
在真空腔體內通入工藝氣體，通過高頻電場（RF射頻或微波）激發氣體電離，形成等離子體。
等離子體組成：包含高能電子、離子、自由基、紫外光子和中性分子。
2.去膠機理
物理作用：
高能粒子（如離子）轟擊光刻膠表面，通過物理濺射破壞膠分子結構，適用于厚膠層或硬質光刻膠。
化學作用：
自由基或活性離子與光刻膠發生化學反應，分解膠分子為揮發性物質，適用于高精度圖形或復雜材料。
3.選擇性去除
通過調節氣體種類、功率、處理時間及腔體壓力，實現對不同光刻膠（正膠/負膠）或底層材料（如硅、金屬）的選擇性去除，避免損傷襯底。
二、半導體等離子去膠機產品結構：
1.核心組件
真空腔體：
不銹鋼或鋁合金材質，用于維持反應環境；
配備觀察窗（石英或耐蝕玻璃）以便實時監控。
氣體分配系統：
質量流量控制器（MFC）：精確調節工藝氣體流量；
進氣口與排氣口：確保氣體均勻分布并快速排出反應產物。
射頻（RF）電源：
提供高頻電場，激發氣體產生等離子體；
功率可調，控制等離子體密度和能量。
電極結構：
電容耦合式（CCP）：上下電極板間形成電場，適合大面積均勻處理；
感應耦合式（ICP）：螺旋線圈產生高密度等離子體，用于復雜圖形或深孔結構。
樣品臺：
靜電吸附或機械固定晶圓；
可旋轉或傾斜，確保等離子體均勻覆蓋。
2.輔助系統
真空系統：
機械泵+分子泵組，實現腔體真空度≤10Pa；
壓力傳感器實時監控并反饋控制。
冷卻系統：
水冷電極和腔體，防止高溫損傷設備或樣品；
部分機型配備樣品冷卻臺，避免過熱導致襯底損傷。
控制系統：
觸摸屏或PC端界面，設置參數（氣體流量、功率、時間、壓力）；
數據記錄與追溯功能，支持Recipe配方存儲。
3.安全與環保設計
防護措施：
緊急停機按鈕、過載保護、氣體泄漏報警；
腔體啟閉聯鎖，防止誤操作。
廢氣處理：
集成噴淋塔或活性炭過濾裝置，處理反應產生的腐蝕性氣體。
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