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北京宏昌信科技有限公司>> ICP CVD——感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積

ICP CVD——感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積

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更新時(shí)間:2015-11-08 21:22:45瀏覽次數(shù):3753

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主要特點(diǎn)
1. 離子能量和離子電流密度分別控制
2. 典型的工藝壓強(qiáng):1-10 毫托
3. 等離子體密度:大約5×1011/cm2
4. 等離子體和襯底相接觸
5. 沉積過程中離子電流的能量低
6. 離子電流(等離子體密度)取決于ICP的功率
7. ESS(靜電屏蔽)功能做到真正的感應(yīng)耦合

詳細(xì)介紹

感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積(ICP-CVD)

主要特點(diǎn)
1. 離子能量和離子電流密度分別控制
2. 典型的工藝壓強(qiáng):1-10 毫托
3. 等離子體密度:大約5×1011/cm2
4. 等離子體和襯底相接觸
5. 沉積過程中離子電流的能量低
6. 離子電流(等離子體密度)取決于ICP的功率
7. ESS(靜電屏蔽)功能做到真正的感應(yīng)耦合

典型應(yīng)用:
1. 面向剝離技術(shù)的低溫沉積
2. 低溫沉積超高質(zhì)量二氧化硅
3. 低溫沉積多晶硅
4. ICP是*自動(dòng)匹配(2個(gè)射頻自動(dòng)匹配單元)

牛津儀器的ICP CVD工具

 

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特征

Plasmalab System 80Plus

Plasmalab System100

Plasmalab System133

 

ICP65

ICPCVD180

ICPCVD380

電極尺寸

240mm

240mm

Up to 330mm

進(jìn)樣

開放進(jìn)樣

真空進(jìn)樣

真空進(jìn)樣

襯底

50mm wafers

2英寸晶片

6英寸,可以選擇多片或小片的載片臺(tái)

8英寸,可以選擇多片或小片的載片臺(tái)

摻雜劑

不行

包括PH3B2H6GeH4在內(nèi)的多種摻雜劑

包括PH3B2H6GeH4在內(nèi)的多種摻雜劑

液體源

不行 

不行

不行

質(zhì)量流量計(jì)控制的氣體管線

可使用812根管線

可使用812根管線

可使用812根管線

載片臺(tái)的溫度范圍

20°C 400°C

0°C 400°C

0°C 400°C

在位等離子體清洗

可以

可以

可以

 

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