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當前位置：德國韋氏納米系統(tǒng)有限公司>>Thin Film薄膜沉積系統(tǒng)>>PECVD沉積>> Minilock-Orion III PECVDPECVD沉積

PECVD沉積

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號Minilock-Orion III PECVD

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地香港特別行政區(qū)

更新時間：2024-06-17 16:46:47瀏覽次數(shù)：2744次

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PECVD沉積可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。
　　PECVD沉積
 
　　Minilock-Orion III是一套zui xian jin的等離子增強型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。
 
　　Minilock-Orion III用于有毒/發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、無定形硅和碳化硅。工藝氣體：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、*基硅烷和甲烷。
 
　　該系統(tǒng)可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。
 
　　基片通過預(yù)真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸，從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。
 

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