CdSe/ZnS(核/殼)量子點摻雜聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)

中文名稱：CdSe/ZnS量子點摻雜聚甲基丙烯酸甲酯

英文名稱：CdSe/ZnSquantumdotsdopedpolymethylmethacrylate

簡稱：PMMA/CdSe-ZnSQDs

其它別稱：聚甲基丙烯酸甲酯/硒化鎘-硫化鋅核殼量子點(PMMA/CdSe-ZnS)，

CdSe/ZnS(核/殼)量子點摻入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)

CdSe/ZnS量子點摻雜聚合物

純度：98%

包裝：mg級和g級

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

將CdSe/ZnS(核/殼)量子點摻入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子點摻雜光纖材料。測量了不同摻雜濃度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收譜，發射譜和射率。與正己烷溶劑中的CdSe/ZnS量子點比較，PMMA基底不改變CdSe/ZnS量子點的吸收和發射峰值波長。在摻雜質量濃度范圍0.013～0.130mg·mL-1內，實驗觀測到了光致熒光(PL)峰值強度具有單峰并呈指數平方變化的規律。隨摻雜濃度的增加，常溫下射率大可0.0013，PL輻射峰波長出現紅移并逐步增大，大紅移量受限于斯托克斯頻移。紅移產生的原因為量子點的二次吸收-發射和摻雜濃度效應

由圖1可見，PMMA基底中CdSe/ZnS量子點(直徑為5。5nm)的一吸收峰位于600nm，熒光峰位于615nm，斯托克斯頻移為15nm，與先前測量的在正己烷中的吸收峰和發射峰波長一致。因此，可認為PMMA基底沒有改變CdSe/ZnS量子點吸收譜和發射譜波長。

CdSe/ZnS(核/殼)量子點摻雜聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的制備方法

在室溫下，將CdSe/ZnS量子點溶液稀釋后待用，將甲基丙烯酸甲酯(MMA)和(AIBN)混合，置于燒杯中。將燒杯放在油鍋中，在90°C環境下攪拌約15min。觀察到燒杯中混合溶液粘度時停止攪拌。取少量混合溶液移至三口燒瓶內，并注入CdSe/ZnS量子點溶液，將其進行聲振蕩10min。將三口燒瓶移至磁力攪拌器上，通入氬氣后進行隔氧加熱，攪拌蒸發。直到三口燒瓶中混合溶液不再有氣泡出現，即三口燒瓶中混合溶液的正己烷*蒸發掉，并使CdSe/ZnS量子點在PMMA中分布均勻。通過此方法制備CdSe/ZnS量子點不同摻雜濃度的(CdSe/ZnS)/PMMA樣品。將制備的PMMA以及(CdSe/ZnS)/PMMA樣品注入到模具，置于恒溫爐固化成薄片。

西安齊岳生物供應量子點產品目錄：

N-乙酰-L-半修飾CdTe/CdS核/殼量子點

PbS QDs修飾多壁碳納米管(MWCNT)

PbS/CdS/ZnS核殼殼量子點修飾TiO納米棒

PbS/CdS核/殼型量子點

PbS量子點摻雜的光子晶體光纖(QD-PCF)

PbS量子點量子點/碳納米管(PbS/MWCNTs)復合材料

PbS量子點敏化B/S/TiO2納米復合材料

PbS量子點修飾TiO2納米棒

PbS硫化鉛包覆鈣鈦礦CsPbI3量子點

PbS硫化鉛量子點

Pd量子點修飾氧化鉬納米纖維

PEG/gCN量子點

PEG修飾CdTe碲化鎘量子點

PEG修飾ZnO量子點

PEG修飾ZnO量子點

PEG修飾黑磷量子點

PEG修飾硫化銀量子點（Ag2S-PEG）

PEI修飾量子點（PEI-QDs）

PIN結構多層Ge量子點探測器

PMMA基底CdSe量子點光纖材料CdSe/PMMA

POSS修飾CdSeTe熒光量子點

POSS修飾CdTe量子點

Pt量子點負載WS2納米片復合材料

PVP/CdS量子點修飾電極

QD800近紅外量子點標記Tca8113細胞(Tca8113/QD800)

SbS量子點修飾GaAs納米線

Sgc8c-QDs探針

Si量子點修飾TiO2電極

TiO2量子點修飾g-C3N4

TiO2納米棒陣列負載硫化銀Ag2S量子點

ZCISe/ZnS核殼結構量子點

ZCISe量子點敏化ZnO納米片

ZnO量子點修飾碳納米管(CNT)

ZnS量子點修飾石墨烯納米復合材料

β-環糊精修飾CdSe/ZnS量子點

β-環糊精修飾CdSe量子點

γ-環糊精-包合物(γ-CD/FA)修飾CdSe/ZnS量子點(QDs)納米

氨改性碳量子點

氨基功能化硅量子點(Si QDs)

氨基功能化石墨烯量子點(af-GQDs)

氨基化葫蘆脲修飾的碲化鎘量子點CB[6]/CdTe QDs和CB[7]/CdTeQDs

氨基聚乙二醇衍生磷脂修飾的量子點(NH2-PEG-QDs)

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.29

以上文中提到的產品用于科研，不能用于人體。